大学模拟电子技术试卷(模拟部分)附答案 .pdfVIP

第一章半导体器件

教学内容：

PN结的单向导电性；二极管的伏安特性及主要参数；晶体管的基本结构、电流

分配与放大原理，晶体管特性及主要参数；场效应管的工作原理及其特性曲线和主

要参数。

教学要求：

了解PN结的单向导电性；了解二极管的伏安特性及主要参数；理解晶体管场、

效应管的放大原理，理解晶体管场、效应管特性曲线。

重点：PN结的单向导电性；晶体管特性曲线。

一、选择题

1、理想二极管的反向电阻为（）。

(a)零(b)无穷大(c)约几百千欧

2、当温度升高时，半导体的导电能力将（）。

(a)增强(b)减弱(c)不变(d)不能确定

3、已知某晶体管的穿透电流I=0.32mA，集基反向饱和电

CEO

流I=4μA，如要获得2.69mA的集电极电流，则基极电流I应

CBOB

为（）。

(a)0.3mA(b)2.4mA(c)0.03mA(d)0.24mA

4、某绝缘栅场效应管的符号如图所示，则该绝缘栅场效

应管应为（）。D

(a)P沟道耗尽型

(b)P沟道增强型

G

(c)N沟道增强型S

(d)N沟道耗尽型

5、已知某晶体管处于放大状态，测得其三个极的电位分

别为6V、9V和6.3V，则6V所对应的电极为（）。9V所对应的电

极为（）。6.3V所对应的电极为（）。

(a)发射极(b)集电极(c)基极

6、如果改变晶体管基极电压的极性，使发射结由正偏导

通改为反偏，则集电极电流（）。

(a)反向(b)近似等于零(c)不变(d)增大

7、工作在放大状态的双极型晶体管是（）。

(a)电流控制元件(b)电压控制元件(c)不可控元件

8、工作在放大状态的晶体管，各极的电位应满足（）。

(a)发射结正偏，集电结反偏(b)发射结反偏，集电结正偏

(c)发射结、集电结均反偏(d)发射结、集电结均正偏

9、所谓晶体管输出特性曲线中的线性区域是指（）。

(a)放大区(b)饱和区