DB31 506-2020 集成电路晶圆制造单位产品能源消耗限额.docxVIP

ICS27.010

CCSF01

DB31

上海市地方标准

DB31/506——2020

代替DB31/506-2010

集成电路晶圆制造单位产品能源消耗限额

Thenormofenergyconsumptionperunitproductofwaferfabricationin

integratedcircuits

2020-09-25发布2020-12-01实施

上海市市场监督管理局发布

I

DB31/506—XXXX

前言

本文件4.1、4.2为强制性条款，其余为推荐性条款。

本文件按照GB/T1.1-2020《标准化工作导则第1部分：标准化文件的结构和起草规则》的规定起

草；

本文件代替DB31/506-2010《集成电路晶圆制造能耗限额》。本文件与DB31/506-2010相比，除编辑性修改外，主要技术变化如下：

a)修改了标准名称；

b)修改了计算方法(见第5章，2010年版的第4章);

c)修改了集成电路晶圆制造能耗限额，改为技术要求(见第4章，2010年版的第5章、第6章);

d)增加资料性附录A(见附录A)。

请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别专利的责任。

本文件由上海市发展和改革委员会、上海市经济和信息化委员会共同提出，由上海市经济和信息化委员会组织实施。

本文件由上海市能源标准化技术委员会归口。

本文件起草单位：上海市集成电路行业协会、上海市能效中心、上海华虹宏力半导体制造有限公司、中芯国际集成电路制造(上海)有限公司、上海华力微电子有限公司、台积电(中国)有限公司、上海先进半导体制造有限公司、上海新进半导体制造有限公司、上海新进芯微电子有限公司。

本文件主要起草人：陶金龙、闵钢、秦宏波、石建宾、杨晓春、张大炜、范晶、姚弘珏、翟静、陈勇、陈继红。

本文件及其所代替文件的历次版本发布情况为：2010年首次发布DB31/506-2010,本次为第一次修订。

集成电路晶圆制造单位产品能源消耗限额

1范围

本文件规定了集成电路晶圆制造过程的单位产品能源消耗(以下简称能耗)限额的技术要求、统计范围、计算方法、节能管理与措施。

本文件适用于集成电路晶圆制造企业单位产品能耗的计算与考核，以及对新建及改扩建项目的能耗控制。

本文件不适用于12英寸40nm及以下工艺制程的集成电路制造企业。

2规范性引用文件

下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款。其中，注日期的引用文件，仅该日期对应的版本适用于本文件；不注日期的引用文件，其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。

GB17167用能单位能源计量器具配备和管理通则

3术语和定义

下列术语和定义适用于本文件。

3.1

集成电路晶圆产品生产系统IntegratedCircuit(IC)waferproductionsystem

将硅圆片通过必要的工艺加工过程，制成集成电路晶圆产品的生产系统。

注：集成电路的工艺加工过程主要包括：以硅圆片为衬底通过“集成电路晶圆产品生产系统”进行掺杂(包括：扩散和离子注入)—→沉积(包括：物理气相淀积、化学气相淀积、外延生长)—→光刻(包括：衬底准备、涂胶、软烘干、对准和曝光、曝光后显影、烘焙)一→蚀刻(包括：化学刻蚀、等离子体刻蚀)一→去胶—→化学机械平坦化等，经过多次类似的工艺加工过程，形成晶体管等元器件图形结构，并通过金属化连接以构成某种预期的电气功能，通过测试最终成为集成电路晶圆成品。

3.2

集成电路晶圆产品辅助生产系统IntegratedCircuit(IC)waferauxiliaryproductionsystem

为生产系统提供生产保障环境(如恒温、恒湿、恒压、净化空气等)的系统，包括动力、供电、机修、循环供水、供气、采暖、制冷、仪表和厂内原料场地以及安全、环保等装置。

3.3

集成电路晶圆产品附属生产系统IntegratedCircuit(IC)wafersubsidiaryproductionsystem

为生产系统专门配置的生产指挥系统(厂部)和厂区内为生产和技术服务的部门和单位，包括各类办公室、操作室、休息室、更衣室、各种生活设施、以及管理及维护等场所。

3.4

集成电路晶圆产品生产界区IntegratedCircuit(IC)waferarea

从硅圆片等原材料和各种能源经计量进入工序开始，到集成电路