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太阳能光伏利用;目录;太阳能电动车;n型掺杂：掺杂原子的价电子数比替代原子的多，从而使得半导体具

有多余的电子而显负电；

P型掺杂：掺杂原子的价电子数比替代原子的少，从而使得半导体具

有多余的空穴而显正电；;通常把PN结附近这些电离施主和电离受主所带的电荷成为空间电荷，它们所存在的区域成为空间电荷区。空间电荷区的电荷产生从N到P的电场，称为内电场。内电场的存在促使n区的空穴向p区漂移，p区的电子向n区漂移。因此，内电场具有促进少子漂移，抑制多子扩散的作用，二者最终到达动态平衡，此时的PN结成为平衡PN结。;当两块半导体结合形成p-n结时，按照费米能级的意义，电子将从费米能级高的n区流向费米能级低的p区，空穴那么从p区流向n区，因而，EFn不断下

移，EFp不断上移，直到二者相等。此时PN结有统一的费米能级EF，此时PN结处于平衡状态。;由平衡的能带图可以看出，PN结的空间电荷区能带发生弯曲，因为能带弯曲，电子从势能低的n区向势能高的p区运动时必须克服这一“势能高坡”，空穴也必须克服这一势能高坡，这一势能高坡成为势垒，空间电荷区因此又被成为势垒区，势垒高度正好弥补n区、p区的费米能级差。因此，;

光生伏特效应：用适当波长的光照射半导体PN结时，PN结吸收一定的光子后激发出光生载流子〔电子—空穴对〕，电子空穴对在内电场的作用下很快别离，电子与空穴分别集中n区和p区,PN结两边的异性电荷的积累形成光生电动势.如将PN结短路，会出现电流。这种由内电场引起的光电效应，即为光生伏特效应。

入射光照射PN结时，由本征吸收在结的两边产生电子—空穴对。在光激发下多数载流子的浓度一般改变较小，而少数载流子的浓度变化很大，因此主要研究光生少数载流子的运动。;光伏效应产生的光生电动势的方向与内建电场相反,因此它的一局部可与内建电场相抵消,其余局部那么可使p区带正电,n区带负电;,相当在p-n结两端加正向电压，当外电路接通时,即可产生电流。;太阳能电池的发电过程;栅线;太阳能电池性能参数;填充因子;太阳能电池的能量转化效率;太??能电池的开展;太阳能电池的分类;;§1、硅太阳能电池;单晶硅太阳能电池的制造工序;单晶硅电池生产过程;作为原料的硅在地壳中丰富，对环境根本没影响

单晶制备以及pn结的制备都有成熟的集成电路工艺左保证

硅的密度低，材料轻，即使是50um一下的厚度的薄板也有很好的强度。

与多晶硅、非晶硅比较，转换效率高

电池工作稳定，已实际用于人造卫星等方面，并且可以保证20年以上的工作寿命。;?;多晶硅太阳能电池;多晶硅与单晶硅材料的差异主要是多晶硅内存在许多晶粒间界。这给多晶硅太阳能电池带来以下三方面影响：

晶粒间界处存在势垒，阻断载流子的通过

晶粒间界作为一种晶体缺陷，起着有效复合中心的作用

在形成pn结的工艺过程中，掺杂的原子会沿着晶粒间界向下择优扩散，形成导电分流路径，增大漏电流。;为尽力减小晶粒间界的影响，使多晶硅太阳能电池具有适宜的光电转换性能，对多晶硅片有如下要求：

1、材料中绝大多数晶粒必须是柱状，以便光生载流子朝上、下方向运输与积累

2、粒径横向尺寸越大越好，至少应大于少子扩散长度。一般希望该尺寸大于几个毫米

?;多晶硅太阳能电池制备过程;非晶硅太阳能电池;*;CNR模型示意图;非晶材料中含有大量悬挂键，因而有很高的缺陷态密度，它们提供了电子和空穴复合的场所，所以，一般说，非晶硅是不适合做电子器件的。;非晶硅室温电导率随掺杂浓度的变化;非晶硅太阳能电池的优点;2、非晶硅的禁带宽度比单晶硅大，随制备条件的不同约在1.5~2.0eV的范围内变化，这样制备的太阳能电池的开路电压高

2、工艺和设备简单，淀积温度低，时间短，适合大批生产

4、不要求周期性原子排列，可以不考虑制备晶体所必须考虑的材料与衬底间的晶格失配问题。因而它几乎可以淀积在任何衬底上，包括廉价玻璃衬底，并且易于实现大面积化。;三种硅基太阳能电池的性能比较;(1)CIS/CIGS薄膜太阳能电池

CIS〔铜-铟-硒〕太阳能电池CIGS铜铟镓硒太阳能电池

价格低廉、性能良好和工艺简单；铟和硒都是比较稀有的元素

(2)CdTe太阳能电池(碲化镉)：镉有剧毒，会对环境造成严重的污染

(3)GaAs太阳能电池：砷化镓〔GaAs〕III-V化合物电池的转换效率可达28%，GaAs化合物材料具有十分理想的光学带隙以及较高的吸收效率，抗辐照能力强，对热不敏感，适合于制造高效单结电池。但是GaAs材料的价格不菲，因而在很大程度上限制了用GaAs电