半导体全制程介绍.pdfVIP

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《晶圆处理制程介绍》

基本晶圆处理步骤通常是晶圆先经过适当的清洗（Cleaning）之后，送到热炉管

（Furnace）内，在含氧的环境中，以加热氧化（Oxidation）的方式在晶圆的表面

形成一层厚约数百个的二氧化硅层，紧接着厚约1000到2000的氮化硅层

将以化学气相沈积ChemicalVaporDeposition；CVP）的方式沈积（Deposition）

在刚刚长成的二氧化硅上，然后整个晶圆将进行微影（Lithography）的制程，先在

晶圆上上一层光阻（Photoresist），再将光罩上的图案移转到光阻上面。接着利用

蚀刻（Etching）技术，将部份未被光阻保护的氮化硅层加以除去，留下的就是所需要的线路图部份。接着

以磷为离子源（IonSource），对整片晶圆进行磷原子的植入（IonImplantation），然后再把光阻剂去除（Photoresist

Scrip）。制程进行至此，我们已将构成集成电路所需的晶体管及部份的字符线（WordLines），依光罩所提

供的设计图案，依次的在晶圆上建立完成，接着进行金属化制程（Metallization），制作金属导线，以便将各

个晶体管与组件加以连接，而在每一道步骤加工完后都必须进行一些电性、或是物理特性量测，以检验加工

结果是否在规格内（InspectionandMeasurement）；如此重复步骤制作第一层、第二层．．．的电路部份，

以在硅晶圆上制造晶体管等其它电子组件；最后所加工完成的产品会被送到电性测试区作电性量测。

根据上述制程之需要，FAB厂内通常可分为四大区：

1）黄光本区的作用在于利用照相显微缩小的技术，定义出每一层次所需要的电路图，因为采用感光剂易曝

光，得在黄色灯光照明区域内工作，所以叫做「黄光区」。

2）蚀刻经过黄光定义出我们所需要的电路图，把不要的部份去除掉，此去除的步骤就称之为蚀刻，

因为它好像雕刻，一刀一刀的削去不必要不必要的木屑，完成作品，期间又利用酸液来腐蚀的，所

以叫做「蚀刻区」。

3）扩散本区的制造过程都在高温中进行，又称为「高温区」，利用高温给予物质能量而产生运动，因为本

区的机台大都为一根根的炉管，所以也有人称为「炉管区」，每一根炉管都有不同的作用。

4）真空

精品

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本区机器操作时，机器中都需要抽成真空，所以称之为真空区，真空区的机器多用来作沈积暨离子

植入，也就是在Wafer上覆盖一层薄薄的薄膜，所以又称之为「薄膜区」。在真空区中有一站称为

晶圆允收区，可接受芯片的测试，针对我们所制造的芯片，其过程是否有缺陷，电性的流通上是否

有问题，由工程师根据其经验与电子学上知识做一全程的检测，由某一电性量测值的变异判断某一

道相关制程是否发生任何异常。此检测不同于测试区（WaferProbe）的检测，前者是细部的电子

特性测试与物理特性测试，后者所做的测试是针对产品的电性功能作检测。

《晶柱成长制程》

硅晶柱的长成，首先需要将纯度相当高的硅矿放入熔炉中，并加入预先设定好的金属物质，使产生出

来的硅晶柱拥有要求的电性特质，接着需要将所有物质融化后再长成单晶的硅晶柱，以下将对所有晶柱长

成制程做介绍。

长晶主要程序︰

融化（MeltDown）

此过程是将置放于石英坩锅内的块状复晶硅加热制高于摄氏1420度的融化温

度之上，此阶段中最重要的参数为坩锅的位置与热量的供应，若使用较大的功率

来融化复晶硅，石英坩锅的寿命会降低，反之功率太低则融化的过程费时太久，

影响整体的产能。

颈部成长（NeckGrowth）

当硅融浆的温度稳定之后，将1.0.0方向的晶种渐渐注入液中，接着将