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深圳大学数字电路设计作业-答案
作业第二章
1、要形成一个最简单的完整的集成电路工艺，至少需要多少层版
图。请列出来。
有源区
N-Well
P+
N+
多晶硅
多晶硅接触孔
有源区接触孔
金属1
2、设计规则所提供的是版图设计的指南，它的基本要素是什么？
最小线宽
3、一个好的封装必须满足哪些要求。表2.3中的封装那个最便宜。
电气要求:低寄生电容电阻电感等
机械要求:可靠牢固
热要求:散热性好
经济要求:便宜
DIP封装最便宜
4、对硅片进行掺杂一般采用那两种方法，分别如何进行？
扩散，
在扩散注入中圆片放在一个石英管内，置入加热炉中，向管内通
入含有掺杂剂的气体。炉子的高温一般在900-1100度，使掺杂剂同
时垂直和水平地扩散入暴露的表面部分。最终掺杂剂的浓度在表面最
大并随进人材料的深度按高斯分布降低。
离子注入
在离子注入中掺杂剂以离子形式进入材料。离子注入系统引导纯
化了的离子束扫过半导体表面，离子的加速度决定了它们穿透材料的
深度，而离子流的大小和注入时间决定了剂量。离子注入法可以独立
控制注人深度和剂量，这就是现代半导体制造业大部分已用离子注入
取代扩散的原因。
作业-第三章
1、对如下图所示的NMOS管和PMOS管，假设W=1um，
L=0.25um。当工作电压如下所示，判断其工作状态，并计算源漏电
流ID。其中:
NMOS：kn=115μA/V2,VT0=0.43V,λ=0.06V–1,
PMOS:kp=30μA/V2,VT0=–0.4V,λ=-0.1V–1.
a.NMOS:VGS=2.5V,VDS=2.5V.PMOS:VGS=–0.5V,VDS
=–1.25V.
b.NMOS:VGS=3.3V,VDS=2.2V.PMOS:VGS=–2.5V,VDS
=–1.8V.
c.NMOS:VGS=0.6V,VDS=0.1V.PMOS:VGS=–2.5V,VDS
=–0.7V.
a.NMOS：VDSVGS-VT0,晶体管工作在饱和状态
ID=1133uA
对于PMOS：|VDS||VGS|-|VT0|，晶体管工作在饱和状态
PMOS：ID=0.675uA
b
对于NMOS：VDSVGS-VT0,晶体管工作在线性状态
NMOS：ID=1791uA
对于PMOS：|VDS||VGS|-|VT0|，晶体管工作在线性状态
PMOS：ID=259uA
C略
2简要解释速度饱和效应。
沟道非常短的晶体管(称为短沟器件)的特性与长沟道器件的电阻工
作区和饱和区的模型有很大的不同。这一差别的主要原因就是速度饱
和效应。长沟道器件中假定载流子的迁移率是一个常数。载流子的速
度正比于电场，且这一关系与电场强度值的大小无关。然而在(水平方
向)电场强度很高的情况下，载流子不再符合这一线性模型。事实当沿
沟道的电场达到某一临界值时，载流子的速度将由于散射效应(即载流
子间的碰撞)而趋于饱和。使得沟道电流不在随着漏极电压增加而增加。
3实际MOS管会有哪些二阶效应，请一一做简要解释。
阈值电压变化，漏端感应势垒降低，热载流子效应，CMOS闩锁
效应。
4对一NMOS管，假设其宽度W，长度L。设其源漏电阻R，源、
漏和栅
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