- 1、本文档共13页,可阅读全部内容。
- 2、原创力文档(book118)网站文档一经付费(服务费),不意味着购买了该文档的版权,仅供个人/单位学习、研究之用,不得用于商业用途,未经授权,严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等,侵权必究。
- 3、本站所有内容均由合作方或网友上传,本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺!文档内容仅供研究参考,付费前请自行鉴别。如您付费,意味着您自己接受本站规则且自行承担风险,本站不退款、不进行额外附加服务;查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档,您可以点击 这里二次下载。
- 4、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等,请点击“版权申诉”(推荐),也可以打举报电话:400-050-0827(电话支持时间:9:00-18:30)。
PSMN025-80YL
N-channel80V,25mΩlogiclevelMOSFETinLFPAK56
14April2016Productdatasheet
1.Generaldescription
LogiclevelN-channelMOSFETinanLFPAK56(PowerSO8)packageusingTrenchMOS
technology.Thisproductisdesignedandqualifiedforuseinawiderangeofpower
supplymotorcontrolequipment.
2.Featuresandbenefits
•AdvancedTrenchMOSprovideslowRDSonandlowgatecharge
•Logiclevelgateoperation
•Avalancherated,100%tested
•LFPAKprovidesmaximumpowerdensityinaPowerSO8package
3.Applications
•Synchronousrectificationinpowersupplyequipment
•ChargersadaptorswithVout10V
•FastchargeUSB-PDapplications
•Batterypoweredmotorcontrol
•LEDlightingTVbacklight
4.Quickreferencedata
Table1.Quickreferencedata
SymbolParameterConditionsMinTypMaxUnit
Vdrain-sourcevoltage25°C≤T≤175°C--80V
DSj
IDdraincurrentVGS=5V;Tmb=25°C;Fig.2--37A
PtottotalpowerdissipationTmb=25°C;Fig.1--95W
Staticcharacteristics
Rdrain-sourceon-stateV=5V;I=10A;T=25°C;
您可能关注的文档
- 安世PSMN0R7-25YLD深圳恒锐丰科技有限公司.pdf
- 安世PSMN0R9-30ULD深圳恒锐丰科技有限公司.pdf
- 安世PSMN1R0-40SSH深圳恒锐丰科技有限公司.pdf
- 安世PSMN1R0-40ULD深圳恒锐丰科技有限公司.pdf
- 安世PSMN1R0-40YSH深圳恒锐丰科技有限公司.pdf
- 安世PSMN1R2-25YLD深圳恒锐丰科技有限公司.pdf
- 安世PSMN1R2-30YLD深圳恒锐丰科技有限公司.pdf
- 安世PSMN1R4-40YLD深圳恒锐丰科技有限公司.pdf
- 安世PSMN1R5-25MLH深圳恒锐丰科技有限公司.pdf
- 安世PSMN1R5-40YSD深圳恒锐丰科技有限公司.pdf
最近下载
- 部编版六年级上册语文-第六单元《重要知识点整理》.docx
- 月山啤酒集团废水处理工程项目-毕业设计(UASB工艺).pdf VIP
- 2024年党纪学习教育ppt(党课).pptx VIP
- 马兰士c520手持对讲机电路图.pdf
- 药王脉学资料.doc
- SYT-0447-2014-埋地钢制管道环氧煤沥青防腐层技术标准.pdf
- 2024年山西普通高中会考物理模拟试题及答案.docx VIP
- 2023年四川工商学院公共课《思想道德基础与法律修养》科目期末试卷B(有答案).docx VIP
- 铁路限高架施工技术交底.pdf VIP
- YDT 1970.4_通信局(站)电源系统维护技术要求 第4部分:不间断电源(UPS)系统.pdf
文档评论(0)