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第三章超净高纯试剂

3.1概述

超净高纯试剂又称工艺化学品（ProcessChemicals，以下称为工

艺化学品），是电子技术微细加工制作过程中不可缺少的关键性基础

化工材料之一，主要用于芯片的清洗和腐蚀，它的纯度和洁净度对集

成电路的成品率、电性能及可靠性都有着十分重要的影响。工艺化学

品是基于微电子技术的发展而产生的，并随着微电子技术的发展

而发展，同时又制约着微电子技术的发展。因此，工艺化学品的研究

和开，发必须与微电子技术的发展及应用需求相结合才具有现实意

义。

3.1.1微电子技术发展现状

微电子技术即电子微细加工技术主要是指用于半导体器件和集

成电路加工制作的一系列蚀刻及处理技术。其中集成电路（简称IC），

特别是超大规模集成电路制作技术又是微电子技术的核心，是电子信

息产业最关键、最重要的基础。其发展速度之快，更新之速，是其他：

任何行业都无法比拟的。

微电子技术发展的主要途径之一是通过不断缩小器件的特征尺

寸，增加芯片面积，以提高集成度和速度。自20世纪70年代后期至

今，集成电路芯片的集成度大体上每一年半增加一倍（Moore定律），

IC芯片的特征尺寸大体上每三年缩小2倍，芯片面积增加约1.5倍，

芯片中晶体管数增加约4倍，也就是说大体上每三年就有一代新

的IC产品问世。

3.1.1.1国外微电子技术发展现状

1958年美国率先研制成功集成电路，从20世纪70年代开始，

集成电路微细加工技术进入快速发展的时期，相继推出了4K、16K、

256K、1M、4M、16M、64M、256M及1G动态存储器，并依次实现

了规模生产。目前全世界已建成或在建的0.25~0.5um生产线达50多

条，总投资超过500亿美元，而美国已建成或在建的0.25～0.35um

工艺8时生产线达17条之多。到2000年，0.18um工艺技术生产线

也已在美国投入批量生产。0.lum乃至0.04um的器件已经在实验室中

制备成功，研究工作已经进入亚0.1pm技术阶段，相应地栅氧化层厚

度只有1.0～2.0nm。预计到21世纪初将实现0.07um工艺技术（64G

DRAM或每平方厘米9000万个晶体管）的规模生产。

3.1.1.2我国微电子技术发展现状

我国于1965年开始研制集成电路，与日本同时起步，比韩国及

中国台湾地区早10年。目前国内最高水平生产线上海华虹NEC微电

子有限公司的0.35ym8时生产线已于1999年底正式投产运营，使导

国内“九五”期间已拥有从CMOS到双极、从5um到0.35um的工艺生

产技术，而且均已形成规模生产，我国“九五”期间重点ICE产厂家见

表3-1。“十五”期间，我国将逐步形成以北京地区、上海地区为中心

的南北电子基地；其中北京将用10年左右的时间建立集研发及生产

并进的北方电子基地，在基地内将新建20条左右0.25～0.35//m及更

高工艺技术水平的IC生产线；上海也将新建多条0.25～0.35um工艺

技术生产线。另外，我国特种芯片的制作技术已经达到0.1～0.2um

的水平。随着芯片制造技术向亚微米、深亚微米方向的发展，目前在

世界范围内已经形成了集成电路多代同堂、齐并进的发展态势。从技

术方面看，我国落后美国、日本等发达国家15年左右，相差了3个

发展阶段。

3.1.2工艺化学品发展现状

随着IC存储容量的逐渐增大，存储器电池的蓄电量需要尽可能

增大，因此氧化膜变得更薄。而工艺化学品中的碱金属杂质(Na、Ca

等)会溶进氧化膜中，从而导致耐绝缘电压下降；重金属杂质（铜、

铁、铬、银等）若附着在硅晶片的表面上时，将会使P-N结耐五降低。

杂质分子或离子的附着又是造成腐蚀或漏电等化学故障的要原因。因

此，随着微电子技术的飞速发展，对工艺化学品的质量要求也越来越

高，不同级别的工艺化学品其金属杂质和颗粒的含量各不相同，因此

不同线宽的IC制作工艺需要相应的试剂与之配套，也即一代的IC制

作技术需要一代的工艺化学品与之配套，才能满足生产的需要。国内

外工艺化学品与集成电路发展的关系见表3-2

随着集成电路