《模拟电子电路》教学课件合集（共10章）非AI生成.pptx

第1章

晶体二极管工作

原理及应用;1.1半导体物理知识;集成电路尽管可集成上亿的晶体管，但了解其中单个元器件的工作原理是非常必要的。

每种类型的半导体器件有其独特的性能，学习这些基础知识能帮助电路设计者更快地选择正确的元器件。

花时间学习分立半导体器件，最终是会得到回报的。;;1.1.1本征半导体;3、掺杂特性：在纯净的半导体材料中，掺杂微量杂质，其导电能力大大增强。（可增加几十万至几百万倍）;半导体的种类;硅(锗)的原子结构;复合：;;漂移运动：;本征激发小结：;1.1.2杂质半导体;一、N型半导体（电子型半导体）：掺入五价杂质。;;P型、N型半导体的简化图示;半导体的导电作用;杂质半导体小结：;电子;例如：空穴从浓度高的地方扩散到浓度低的地方，这样就形成了电流，电流的方向和空穴运动的方向相同。;;3.扩散和漂移达到动态平衡（热平衡）;;在一定的温度条件下，由本征激发决定的少子浓度是一定的，故少子形成的漂移电流是恒定的，基本上与所加反向电压的大小无关，这个电流也称为反向饱和电流。;3、PN结的伏安特性;4、PN结的击穿;三、PN结的电容特性;(1)势垒电容CB;扩散电容是由多子扩散后，在PN结的另一侧面积累而形成的。因PN结正偏时，形成正向电流。刚扩散过来的电子就堆积在P

区内紧靠PN结的附近，

形成一定的浓度梯度。;扩散电容示意图;势垒电容和扩散电容均是非线性电容。

;PN结小结;1.3实际二极管

伏安特性;1.3.1半导体二极管的结构和类型;点接触型;36;1.3.2二极管的伏安特性;二、二极管的伏安特性;二、二极管的伏安特性;反向击穿类型：;硅管的伏安特性;温度对二极管特性的影响;1.3.3二极管的主要参数;影响工作频率的原因—;检波二极管

2AP1：IF＝16mA,fM＝150MHz;1.4二极管电路的分析方法及基本应用;二、二极管的伏安特性;1.4.1二极管的开关模型（理想二极管）;1.4.2二极管的恒压模型;UD(on);[解];例2：试求电路中电流I1、I2、IO和输出电压

UO的值(二极管采用恒压模型)。;UO=VDD1?UD(on)=14.3(V);例3：二极管构成“门”电路，设V1、V2均为理想二极管，当输入电压UA、UB为低电压0V和高电压5V的不同组合时，求输出电压UO的值。;输入电压;例4：画出硅二极管构成的桥式整流电路在

ui=15sin?t(V)作用下输出uO的波形。;;例5：ui=2sin?t(V)，分析二极管的限幅作用。;思考题:;例6：电路如图所示，已知;例7：电路如图所示，已知;;一、二极管电路的直流图解分析;可取UQ=0.7V;iD/mA;iD/mA;;例ui=5sin?t(mV)，VDD=4V，R=1k?，

求iD和uD。;2.动态分析;本书中规定各种物理量的表示方法;二极管模型及应用小结：;1.5其它类型的二极管;1.5.1稳压二极管（齐纳二极管）;二、主要参数;5.稳定电压温度系数CT;例：分析简单稳压电路的工作原理，

R为限流电阻。;1.5.2发光二极管与光敏二极管;2.主要参数;79;二、光敏二极管;三、应用;例：电路如图，已知IZmax=50mA,R=0.15KΩ,VI=24V,IZ=5mA,VZ=12V

问当RL=0.2KΩ时，电路能否稳定，为什么？当RL=0.8KΩ时，电路能否稳定，为什么？;例:电路如图，VI=12V，VZ=6V，R=0.15KΩ，IZ=5mA，IZMAX=30mA,问保证电路正常工作时RL的取值范围;例已知u=10sin(?t)V,UZ=+6V,IZ=10mA，Izmax=30mA,画出uo的波形，并求限流电阻R的最小值。;稳压二极管小结：;补充：选择二极管限流电阻;第2章

晶体三极管

及基本放大器;(SemiconductorTransistor);晶体三极管又称为双极型三极管

BJT：

BipolarJunctionTransistor;分类：;2.1三极管的工作原理;3.三极管内部载流子的传输过程;三极管的正向控制作用:;4.三极管的电流分配关系;;共基极接法的直流

电流传输系数:;发射极电流：;2.1.3三极管的