04-电子显微分析-SEM和EPMA(1-SEM).pptVIP

******************************************各种信号成像的分辨率(单位:nm)SEM图像的分辨率主要取决因素有二：（1）入射电子束束斑的大小：电子束直径愈小，分辨率愈高。（2）成像信号：不同信号成像时的分辨率不同。*场深放大倍数分辨率场深:电子束在试样上扫描时，可获得清晰图像的深度范围场深大的图像立体感强在电子显微镜和光学显微镜中，SEM的场深大，成像富有立体感，所以特别适用于粗糙样品表面的观察和分析。多孔SiC陶瓷的二次电子扫描像*二、扫描电镜图像及其衬度像的衬度：像的各部分(即各像元)光强度相对于其平均强度的变化。根据衬底形成原因，SEM像的衬度可分为形貌衬度、原子序数衬度、电压衬度二次电子像的衬度是最典型的形貌衬度背散射电子像的衬度包含形貌衬度和原子序数衬度吸收电子像的衬度包含形貌衬度和原子序数衬度*1、形貌衬度：由于试样表面形貌差别而形成的衬度。成因：电信号的强度是试样表面倾角的函数表面微区形貌差别→电信号的强度的差别→显示形貌衬度的图像（一）扫描电镜像的衬度二次电子像的衬度是最典型的形貌衬度是试样表面倾角的函数2、原子序数衬度：由于试样表面物质原子序数（或化学成分）差别而形成的衬度。利用对试样表面原子序数（或化学成分）变化敏感的物理信号作为显像管的调制信号，可以得到原子序数衬度图像。在原子序数衬度像中，原子序数（或平均原子序数）大的区域比原子序数小的区域更亮背散射电子像、吸收电子像的衬度都包含原子序数衬度3、电压衬度：由于试样表面电位差别而形成的衬度。利用对试样表面电位状态敏感的信号（如二次电子）作为显像管的调制信号，可得到电压衬度像。（二）扫描电镜像——背散射电子像(1)原子序数：背散射电子的产额随原子序数Z的增大而增加在进行图像分析时，样品中重元素区域背散射电子产额多，呈亮区，而轻元素区域则为暗区。1、影响背散射电子产额的主要因素*BackscatteredElectrons(BE)Incidente-CarbonIronGoldImageFormedsample(2)试样表面倾角?随表面倾角?的增大，背散射电子系数增加。背散射电子信号包含：试样原子序数和表面形貌两种信息(1)原子序数(2)试样表面倾角?背散射电子像的衬度既可显示形貌衬度，也可显示原子序数衬度可利用背散射电子像研究样品表面形貌和成分分布。*2、背散射电子形貌像的特点（2）衬度太强背散射电子以直线轨迹逸出样品表面，在图像上显示出很强的衬度，衬度太大会失去细节的层次，不利于分析。探测器收集背散射电子（1）分辨率较二次电子像低背散射电子是在一个较大的作用体积内被入射电子激发出来的，成像单元变大是分辨率降低的原因，*二次电子和背散射电子所形成的形貌像比较(a)二次电子像(b)背散射电子像*3、背散射电子像的应用利用原子序数衬度像来分析晶界上或晶粒内部不同种类的析出相是十分有效的。析出相成分不同，激发出的背散射电子数量也不同，致使扫描电子显微图像上出现亮度上的差别。从亮度上的差别，我们就可根据样品的原始资料定性地判定析出相的类型。铅82/锡50合金样品的二次电子像和背散射电子像ZrO2-Al2O3-SiO2系耐火材料的背散射电子形成的原子序数像，1000×*二次电子信号对样品表面比较敏感，主要来自样品表层5-10nm深度范围，能量较低。二次电子信号主要反映样品的表面形貌特征二次电子像的衬度是最典型的形貌衬度（三）扫描电镜像——二次电子像(1)入射电子束的能量当入射束能量大于一定值，随着入射束能量的增加，二次电子发射系数减小。1、影响二次电子产额的主要因素二次电子成像要选择适当的加速电压(2)试样表面倾角?二次电子发射系数随试样表面倾角的增大而增加。二次电子产额对微区表面的几何形状十分敏感凸出的尖棱，小粒子以及比较陡的斜面处二次电子产额较多，在荧光屏上这部分的亮度较大（如图a、b、c）平面上的二次电子产额较小，亮度较低（如图c）在深的凹槽底部尽管能产生较多二次电子，但其不易被探测到，因此像中相应的位置也较暗（如图e）实际样品中二次电子的激发过程示意图*2、二次电子像二次像主要反映试样表面的形貌特征。二次电子像的衬度是形貌衬度，衬度形成主要取决于试样表面相对于入射电子束的倾角。水泥浆体断口*3、二次电子像的特点典型的新貌像没有明显的阴影效