GaN在光电子器件中的应用 .pdfVIP

第一章引言

GaN材料的研究与应用是目前全球半导体研究的前沿和热点，是研制微电

子器件、光电子器件的新型半导体材料，并与SIC、金刚石等半导体材料一起，

被誉为是继第一代Ge、Si半导体材料、第二代GaAs、InP化合物半导体材料之

后的第三代半导体材料。它具有宽的直接带隙、强的原子键、高的热导率、化学

稳定性好（几乎不被任何酸腐蚀）等性质和强的抗腐蚀能力，在光电子、高温大

功率器件和高频微波器件应用方面有广阔的应用前景。

GaN是极稳定的化合物，又是坚硬的高熔点材料，熔点约为1700℃，GaN

具有高的电离度，在Ⅲ—Ⅴ族化合物中是最高的（0.5或0.43）。在大气压力下，

GaN晶体一般是六方纤锌矿结构。它在一个元胞中有4个原子，原子体积大约

为GaAs的一半。因为其硬度高，又是一种良好的涂层保护材料。其化学稳定性

和热稳定性尤其有利于制造高温器件。其物理特性，包括宽禁带、高击穿、高饱

和速度等，更有利于制造微波功率器件。更值得一提的是，由于A1GaN，InGaN

x1-xx1-x

的禁带宽度可调，是可见光、紫外线光电子器件的理想选择，工艺技术上，成功

地实现了传统的低压、原子层的CVD淀积和A1GaN/InGaN的掺杂，从而获得了高

质量GaN-A1GaN异质结和A1GaN二维电子气，优良的二维电子气传输特性使其

能够制造更加独特的光电子器件。

近年来，在材料生长方面的进展也很快，日本住友电气公司(SEI)已经首次

生长2英寸单晶GaN衬底。同蓝宝石相比，GaN能导电，便于顶层和底层同时制

作电极，节省面积;衬底和外延层的材料相同，易于解理衬底和外延层的位错少，

可延长激光器的寿命。该公司计划2001年开始出售GaN材料，这种单晶的商品

化不仅加快激光器的开发，而且也有利于GaN电子器件的开发。用于GaN器件的

外延材料生长，经常采用MBE或者MOCVD技术。其外延材料结构大多属于六方或

者立方型的晶体结构，前者生长在蓝宝石或者6H/4HSiC衬底上，当前，大多数

器件采用此类衬底。

由于GaN具有十分优良的材料性质，所以被广泛应用于光电子器件中，比

如光电器件、激光器和探测器等，随着技术的发展，GaN的应用越来越广泛，

它正以前所未有的速度影响着我们的日常生活。

第二章GaN的性质

GaN在一个无胞中有4个原子，原子体积大约为GaAs的一半。是研制微电

子器件、光电子器件的新型半导体材料，并与SiC、金刚石等半导体材料一起，

被誉为是继第一代Ge、Si半导体材料、第二代GaAs、InP化合物半导体材料之

后的第三代半导体材料。因其硬度高，又是一种良好的涂层保护材料。下面我们

来瞭解下GaN的化学特性、电学特性和光学特性。

2.1GaN的化学特性

在室温下，GaN不溶于水、酸和碱，而在热的碱溶液中以非常缓慢的速度

溶解NaOH、H2SO4能较快的腐蚀质量差的的GaN，可用于这些质量不高的GaN

晶体的缺陷检测，GaN在HCL或H2下，在高温下呈现不稳定特性，而在N2

下最为稳定。

2.2GaN的电学特性

GaN的电学特性是影响器件的主要因素。未有意掺杂的GaN在各种情况下

都呈n型,最好的样品的电子浓度约为4×1016/cm3。一般情况下所制备的P型

样品，都是高补偿的。

很多研究小组都从事过这方面的研究工作，其中中村报道了GaN最高迁移

率数据在室温和液氮温度下分别为μn=600cm2/v·s和μn=1500cm2/v·s，相应

的载流子浓度为n=4×1016/cm3和n=8×1015/cm3。近年报道的MOCVD沉积

GaN层的电子浓度数值为4×1016/cm3、1016/cm3；等离子激活MBE的结果

2

为8×1