《SRAM及存储器常识》课件.pptVIP

**************SRAM的基本原理晶体管结构SRAM使用6个晶体管构建一个存储单元。每个晶体管负责控制电流流向，实现数据存储。数据存储数据以电荷的形式存储在晶体管的栅极。高电压表示逻辑“1”，低电压表示逻辑“0”。数据读取读取数据时，通过一个晶体管控制电流流向，判断电压状态。根据电压状态确定存储数据是“1”还是“0”。数据写入写入数据时，通过另一个晶体管改变栅极电压，将数据写入存储单元。存储单元保持数据直到被更新或电源关闭。SRAM的读写过程1写入数据将数据写入SRAM单元。2地址选择通过地址译码器选择要写入的单元。3数据传输通过数据总线将数据传输到SRAM单元。4写入信号写入信号控制数据写入SRAM单元。读写过程类似，只是写入信号变为读出信号。SRAM的特点和优缺点11.高速SRAM访问速度快，通常比DRAM快得多，适合需要快速访问数据的应用。22.低功耗SRAM的功耗相对较低，适合对功耗敏感的应用。33.存储密度低SRAM的存储密度比DRAM低，存储容量有限，成本较高。44.易受干扰SRAM对噪声和电磁干扰比较敏感，需要谨慎设计以确保可靠性。DRAM概述动态随机存取存储器DRAM是一种常用的主存储器，广泛应用于计算机和移动设备中。存储器模块DRAM通常以模块形式封装，方便安装在主板上。数据传输DRAM使用电容存储数据，需要周期性刷新以保持数据。DRAM的基本原理1电容存储DRAM使用电容来存储数据。每个存储单元由一个电容和一个晶体管组成。通过在电容上存储电荷，代表数据“1”或“0”。2刷新机制电容存储的电荷会随着时间衰减，因此需要周期性地刷新，以保持数据的完整性。刷新操作通过将数据从电容读出，再写入到同一个位置来实现。3地址寻址DRAM存储单元被组织成矩阵形式，通过行地址和列地址来访问特定的存储单元。地址信号用于选择特定的存储单元，并进行数据读写操作。DRAM的读写过程1读操作DRAM从存储单元中读取数据2写入操作向存储单元写入新的数据3刷新操作定期刷新数据，防止数据丢失DRAM的读写操作使用地址线来定位目标存储单元，并通过数据线进行数据的传输。读操作中，地址信号被送入地址译码器，选定目标存储单元。然后，通过数据线读取存储单元中的数据。写入操作中，地址信号选定目标存储单元，数据线写入数据到该单元。刷新操作是为了维持存储单元中的数据，因为电容会逐渐放电导致数据丢失。刷新操作周期通常以毫秒为单位。DRAM的特点和优缺点优点DRAM具有高存储密度，成本低廉。适合大容量存储需求。DRAM可以实现随机访问，可以对任何位置的数据进行读写。缺点DRAM的访问速度慢，需要刷新才能保存数据。DRAM的功耗比较高，而且容易受到静电的干扰。存储器分类按存储介质分类半导体存储器磁存储器光存储器按访问方式分类随机存取存储器（RAM）顺序存取存储器（SAM）直接存取存储器（DAM）按读写特性分类读写存储器（RWM）只读存储器（ROM）按功能分类主存储器辅助存储器高速缓存随机存取存储器随机访问它允许程序以任何顺序访问存储器中的任何位置，无需按顺序访问。数据保存随机存取存储器是易失性存储器，这意味着当电源关闭时，存储在其中的数据将丢失。速度随机存取存储器通常比其他类型的存储器速度更快，例如硬盘驱动器。应用随机存取存储器广泛用于计算机系统中，作为主内存，缓存和图形卡内存。只读存储器ROM-只读存储器ROM是一种非易失性存储器，一旦写入数据，数据便会永久保存。数据写入ROM通常在制造过程中写入数据，使用专门的设备进行编程。特点存储数据永久保存写入数据后无法修改成本较低应用场景ROM通常用于存储固件、引导程序、系统参数等。可编程只读存储器一次性可编程只能写入一次，写入后无法修改内容。用途广泛常用于嵌入式系统、计算机系统中存储启动程序、固件等。写入速度快写入操作速度快，但读取速度比SRAM慢。非易失性断电后数据不会丢失。可擦除可编程只读存储器EEPROM简介EEPROM是可擦除可编程只读存储器，也称为电可擦除可编程只读存储器。EEPROM特性EEPROM可以多次擦除和重新编程，比传统的ROM更灵活。EEPROM应用EEPROM通常用于存储系统设置、配置参数和设备校准数据。闪存非易失性存储器闪存是一种非易失性存储器，即使断电后数据也不会丢失。闪存通常用于存储系统，例如固态硬盘，USB驱动器和SD卡。存储密度高闪存具有高存储密度