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GAN3R2-100CBE
8
P
S
C
L
W100V,3.2OhGalliuNitride(GaN)FETina
3.5x2.13WaferLevelChip-ScalePackage(WLCSP)
27April2023Productdatasheet
1.Generaldescription
TheGAN3R2-100CBEisaageneralpurpose100V,3.2mΩGalliumNiride(GaN)FETina15
bumpWaferLevelChip-ScalePackage(WLCSP).Iisanormally-offe-modedeviceoffering
superiorperformance.
2.Featuresandbenefits
•Enhancemenmode-normally-offpowerswich
•Ultrahighfrequencyswitchingcapability
•Nobodydiode
•Lowgatecharge,lowoutputcharge
•Qualifiedforstandardapplications
•ESDprotection
•RoHS,Pb-free,REACH-complian
•Highefficiencyandhighpowerdensiy
•WaferLevelChip-ScalePackage(WLCSP)3.5mmx2.13mm
3.Applications
•Highpowerdensiyandhighefficiencypowerconversion
•AC-to-DCconverters,(secondarystage)
•HighfrequencyDC-to-DCconvertersin48Vsystems
•Fastbaerycharging,mobilephone,laptop,tabletandUSBtype-Cchargers
•Datacomandtelecom(AC-to-DCandDC-to-DC)converters
•Motordrives
•LiDAR(non-automotive)
•ClassDaudioamplifiers
4.Quickreferencedata
Table1
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