安世NGW75T65H3DF深圳市恒锐丰科技.pdf

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3NGW75T65H3DF

650V,75Ahighspeedtrenchfield-stopIGBTwithfullrated

silicondiode

Rev.1—28June2024Productdatasheet

1.GeneralDescription

TheNGW75T65H3DFisarobustInsulated-GateBipolarTransistor(IGBT)eaturing

third-generationtechnology.Itcombinescarrierstoredtrench-gateandield-stop(FS)structures.

TheNGW75T65H3DFisratedto175°CwithoptimizedIGBTturn-olosses.Thishard-switching

650V,75AIGBTisoptimizedorhigh-voltage,high-requencyindustrialpowerinverter

applications.

2.Featuresandbenefits

•Collectorcurrent(I)ratedat75A

•Lowconductionandswitchinglosses

•Stableandtightparametersforeasyparalleloperation

•Maximumjunctiontemperatureof175°C

•Fullyratedasasoftfastreverserecoverydiode

•RoHScompliant,lead-freeplating

3.Applications

•Powerinverters

•UninterruptiblePowerSupply(UPS)inverter

•Photovoltaic(PV)strings

•EVcharging

•Inductionheating

•Welding

4.Quickrefere

该用户很懒，什么也没介绍

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