芯片半导体制造工艺-第十八章-装配与封装-.ppt

从芯片压点到引线框架的引线键合压模混合物引线框架压点芯片键合的引线管脚尖Figure20.9芯片到引线框架的引线键合Photo20.1热压键合柱器件压点Figure20.10超声线键合顺序引线楔压劈刀(1)劈刀向上移动导给劈刀更长的引线(3)超声能压力引线框架(4)劈刀向上移动在压点旁将引线折断(5)(2)Al压点超声能压力芯片Figure20.11热超声球键合(2)H2火焰球(1)金丝毛细管劈刀(5)压力和加热形成压点引线框架(6)劈刀向上移动在压点旁将引线折断在压点上的焊球压力和超声能芯片(3)劈刀向上移动并导入更长的引线Die(4)Figure20.12引线键合拉力试验柱器件测试中的芯片钩样品卡Figure20.13传统封装IC有许多传统封装形式，封装必须保护芯片免受环境中潮气和沾污的影响及传运时的损坏。IC封装形成了在引线框架上互连到芯片压点的管脚，它们用于第二级装配电路板。芯片压点的间距范围从60～115μm。引线框架电极从该压点间距扇出到用在电路板上更大的压点间距。在早期是普遍的金属壳封装，现在它仍然用于分立器件和SSI。芯片被粘贴在镀金头的中心，并用引线键合到管脚上。在管脚周围形成玻璃密封，一个金属盖被焊到基座上以形成密封。例子是金属TO型（晶体管外形）封装，如图所示。两种最广泛使用的传统IC封装材料是：塑料封装陶瓷封装TO-型金属封装Figure20.14塑料封装

从引线框架上去除连接边芯片引线框架连接边连接边去除线Figure20.15双列直插封装(DIP)Figure20.16A单列直插封装(SIP)Figure20.16B薄小型封装(TSOP)

（用于存储器和智能卡）Figure20.16C双列存储器模块(SIMM)Figure20.16D四边形扁平封装(QFP)Figure20.16E具有J型管脚的塑料电极芯片载体(PLCC)Figure20.16F无引线芯片载体(LCC)Figure20.16G陶瓷封装陶瓷封装被用于集成电路封装，特别是目前应用于要求具有气密性好、高可靠性或者大功率的情况。陶瓷封装有两种方法：耐熔（高熔点）陶瓷；薄层陶瓷。耐熔陶瓷基座是集成电路封装常用的，它由氧化铝粉和适当的玻璃粉及一种有机媒质混合而构成浆料，浆料被铸成大约1密耳厚的薄片，干化，然后制作布线图案以制成一个多层陶瓷基座（见下图）。用户连线电路被淀积在单层上，用金属化通孔互连不同的层。分层耐熔陶瓷加工顺序陶瓷互连层4层分层Figure20.17陶瓷针栅阵列（PGA）CourtesyofAdvancedMicroDevicesPhoto20.2薄层陶瓷

CERDIP封装陶瓷盖玻璃密封陶瓷基座金属管脚环氧树脂和引线框架上的芯片剖面标志槽横截平面Figure20.18终测所有装配和封装芯片都要进行最终电测试以确保集成电路质量。测试与硅片分类时所做的功能测试相同。集成电路芯片处理器要在自动测试设备上进行单个芯片测试。集成电路处理器迅速将每个集成电路插入测试仪的电接触孔。小而有弹性的针，被称为弹簧针，使管壳上管脚实现电接触以便进行电学测试。具有数量多的输入/输出管脚和管壳占面积小的先进集成电路封装对于终测造成挑战。专用的测试固定装置，通常称为接触件或管座，用于进行集成电路管壳上管脚和自动测试仪上接触针之间的电连接（见下图）。为IC管壳准备的测试管座Figure20.19先进的装配与封装先进的集成电路封装设计包括：倒装芯片球栅阵列(BGA)板上芯片(COB)卷带式自动键合(TAB)多芯片模块(MCM)芯片尺寸封装(CSP)园片级封装倒装芯片倒装芯片是将芯片的有源面（具有表面键合压点）面向基座的粘贴封装技术。这是目前从芯片器件到基座之间最短路径的一种封装设计，为高速信号提供了良好的电连接。由于它不使用引线框架或塑料管壳，所以重量和外形尺寸也有所减小。倒装芯片技术使用的凸点－－通常有5％Sn和95％pb组成的锡/铅焊料，以互连基座和芯片键合压点（见下图）。通常用的焊料凸点工艺被称为C4（可调整芯片支撑的工艺）。电信学院