MMIC单片微波集成电路.pdfVIP

博观而约取，厚积而薄发。——苏轼

单片微波集成电路（MMIC），有时也称射频集成电路(RFIC)，它是随着半导体制

造技术的发展，特别是离子注入控制水平的提高和晶体管自我排列工艺的成熟而

出现的一类高频放大器件。

微波集成电路MicrowaveIntegratedCircuit

工作在300M赫～300G赫频率范围内的集成电路。简称MIC。分为混合微波

集成电路和单片微波集成电路。前者是用厚膜技术或薄膜技术将各种微波功能

电路制作在适合传输微波信号的介质(如高氧化铝瓷、蓝宝石、石英等)上，再将

分立有源元件安装在相应位置上组成微波集成电路。这种电路的特点是根据微波

整机的要求和微波波段的划分进行设计和制造，所用集成电路多是专用的。单片

微波集成电路则是将微波功能电路用半导体工艺制作在砷化镓或其他半导体芯

片上的集成电路。这种电路的设计主要围绕微波信号的产生、放大、控制和信息

处理等功能进行，大部分电路都是根据不同整机的要求和微波频段的特点设计

的，专用性很强。

在这类器件中，作为反馈和直流偏置元件的各个电阻器都采用具有高频特性的薄

膜电阻，并且与各有源器件一起封装在一个芯片上，这使得各零件之间几乎无连

线，从而使电路的感抗降至最低，且分布电容也极小，因而可用在工作频率和频

宽都很高的MMIC放大器中。

目前，MMIC的工作频率已可做到40GHz，频宽也已达到15GHz，因而可广泛应用

于通信和GPS,等各类设备的射频、中频和本振电路中。

根据制作材料和内部电路结构的不同，MMIC可以分成两大类：一类是基于硅

Silicon晶体管的MMIC，另一类是基于砷化镓场效应管（GaAsFET）的MMIC。

GaAsFET类MMIC具有工作频率高、频率范围宽、动态范围大、噪声低的特点，

但价格昂贵，因此应用场合较少；而硅晶体管的MMIC性能优越、使用方便，而

且价格低廉，因而应用非常广泛.

微波集成电路是工作在微波波段和毫米波波段，由微波无源元件、有源器件、传

输线和互连线集成在一个基片上，具有某种功能的电路。可分为混合微波集成电

路和单片微波集成电路。

微波集成电路起始于20世纪50年代。微波电路技术由同轴线、波导元件及其组

成的系统转向平面型电路的一个重要原因，是微波固态器件的发展。60～70年

代采用氧化铝基片和厚膜薄膜工艺；80年代开始有单片集成电路。

微波集成电路的分类

混合微波集成电路是采用薄膜或厚膜技术，将无源微波电路制作在适合传输微波

信号的基片上的功能块。电路是根据系统的需要而设计制造的。常用的混合微波

集成电路有微带混频器、微波低噪声放大器、功率放大器、倍频器、相控阵单元

等各种宽带微波电路。

博观而约取，厚积而薄发。——苏轼

单片微波集成电路是采用平面技术，将元器件、传输线、互连线直接制做在半导

体基片上的功能块。砷化镓是最常用的基片材料。

单片微波集成电路包括多种功能电路，如低噪声放大器（LNA）、功率放大器、

混频器、上变频器、检波器、调制器、压控振荡器（VCO）、移相器、开关、MMIC

收发前端，甚至整个发射/接收（T/R）组件（收发系统）。由于MMIC的衬底材

料（如GaAs、InP）的电子迁移率较高、禁带宽度宽、工作温度范围大、微波传

输性能好，所以MMIC具有电路损耗小、噪声低、频带宽、动态范围大、功率大、

附加效率高、抗电磁辐射能力强等特点。

MMIC（单片微波集成电路）封装

随着工作频率的增加，封装的寄生现象对系统性能的影响越来越大。为了把这些

影响减到最小，封装的型式和典型阻抗特性的设计都要很谨慎，保证必须的机械