集成电路技术发展对电磁兼容的影响 .pdf

新视角

集成电路技术发展对

电磁兼容的影响

TheInfluenceofIntegratedCircuitTechnologyDevelopmenton

ElectromagneticCompatibility

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法国国立应用科学学院法国国家科学研究中心系统分析与架构实验室

国防科技大学3

艾·西加1亚历山大·博耶1,2吴建飞*，3郑亦菲3

摘要

介绍了集成电路制造业发展的主要趋势，包括复杂度、工作频

E.Sicard·

(艾西加) 法国图率、器件性能、供电电压以及器件之间数据交换等。总结了微米级

卢兹大学教授、IRIT实验室副到纳米级CMOS工艺集成电路性能对应的工艺发展节点，讨论了技

研究员、LURCO实验室研究总术演变对集成电路电磁兼容（EMC）的影响,并基于最近几年发表

监，EMCCompo国际研讨会的一系列学术论文综述了集成电路电磁兼容的研究现状。

创始人。研究领域主要为电气关键词

工程，包括纳米级CMOS技术、

集成电路;电磁兼容;封装工艺;发展趋势

集成电路设计自动化和用于语Abstract

音治疗的数字信号处理。1987

ThispaperpresentsthemajortrendsinthedevelopmentoftheIC

年获得法国图卢兹大学的电子

工程学博士学位，1988-1989

performance,supplyvoltage,anddataexchangebetweendevices.Theprocess

年在日本大阪大学的博士后研

developmentnodescorrespondingtotheperformanceofCMOSintegratedcircuits

究方向是集成电路电磁兼容；

著作20余本，开发商业软件

10个(Microwind，IC-EMC，

Vocalab，Diadolab等)，发表

学术论文250余篇；1999年ofacademicpaperspublishedinrecentyears.

Keywords

创办EMCCompo国际研讨会

(

会是集成电路电磁兼容领域的technologicaltrends

重要会议。

1 概述

集成电路（IC）是电子设备EMC问题中的关键要素，它们既是干扰源

又是被干扰的对象。尽管半导体器件不受欧洲EMC指令或FCC15等EMC

法规约束，但集