氧化物TFT及其制备方法、阵列基板、显示器件 .pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利说明书

(10)申请公布号CN103985764A

(43)申请公布日2014.08.13

(21)申请号CN201410241322.5

(22)申请日2014.05.30

(71)申请人TCL集团股份有限公司

地址516006广东省惠州市仲恺高新技术开发区十九号小区

(72)发明人杨帆申智渊付东

(74)专利代理机构深圳中一专利商标事务所

代理人张全文

(51)Int.CI

H01L29/786

H01L29/51

H01L27/12

权利要求说明书说明书幅图

(54)发明名称

氧化物TFT及其制备方法、阵列基

板、显示器件

(57)摘要

本发明公开了一种氧化物TFT及其

制备方法、阵列基板、显示器件。该氧化

物TFT包括依次形成于基板上的栅极、有

机物栅极绝缘层、甲氧基硅烷类衍生物修

饰层、氧化物有源层及源漏电极层。该阵

列基板、显示器件均含有该氧化物TFT。

本发明氧化物TFT的载流子迁移率高，阈

值电压低，漏电流小，性能稳定；阵列基

板性能和显示器件的显示质量均得以提

高。

法律状态

法律状态公告日法律状态信息法律状态

权利要求说明书

1.一种氧化物TFT，包括形成于基板上的栅极、形成于设置有所述栅极的

所述基板表面上的栅极绝缘层和在所述栅极绝缘层外面上形成的氧化物有源

层以及在所述有源层上形成的源电极和漏电极，其特征在于：所

述栅极绝缘层材料包括含羟基聚合物；在所述栅极绝缘层与所述

有源层之间还形成有修饰层，所述修饰层材料为甲氧基硅烷类衍

生物。

2.如权利要求1所述的氧化物TFT，其特征在于：所述含羟基聚合物选自

聚乙烯苯酚、聚乙烯醇中的至少一种；或/和

所述甲氧基硅烷类衍生物选自苯基三甲氧基硅烷、十八烷基三甲氧基硅烷、

γ-甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷中的至少一种。

3.如权利要求1或2所述的氧化物TFT，其特征在于：所述栅极绝缘层材

料还包括交联剂，所述交联剂与所述含羟基聚合物的质量比为1：(3-5)。

4.如权利要求1或2所述的氧化物TFT，其特征在于：所述栅极绝缘层的

厚度为1000-1300nm；或/和所述修饰层的厚度为80-100nm。

5.如权利要求1或2所述的氧化物TFT，其特征在于：所述基板为柔性基

板。

6.如权利要求1或2所述的氧化物TFT，其特征在于：其还包括平坦层，

所述平坦层形成于设置有所述源电极和漏电极的所述基板表面上。

7.如权利要求1-5任一所述的氧化物TFT的制备方法，包括如下步骤：

在衬底上依次形成基板、栅极；

在形成有所述栅极的所述基板表面上形成包括含羟基聚合物膜层，形成栅

绝缘层；

在所述栅绝缘层上形成甲氧基硅烷类衍生物膜层，干燥，形成修饰层；

在所述修饰层上形成由氧化物半导体制成的有源层；

在形成有有源层的所述修饰层表面上形成源电极和漏电极。

8.如权利要求7所述的TFT的制备方法，其特征在于：形成所述栅绝缘

层和修饰层的方法为旋涂法，且采用旋涂法形成所述栅绝缘层步骤中，包括

含羟基聚合物的浆料浓度为7-10％，旋涂速率为2000-2500rps；

和/或

采用旋涂法形成所述修饰层步骤中，含甲氧基硅烷类衍生物的浆料浓度为

2-3.5‰，旋涂速率为2500-3000rps。

9.一种TFT阵列基板，包括基板、设置于所述基板上TFT