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（19）中华人民共和国国家知识产权局
（12）发明专利申请
（10）申请公布号
CN102674373A
（43）申请公布日2012.09.19
（21）申请号CN201210169841.6
（22）申请日2012.05.28
（71）申请人上海华力微电子有限公司
地址201203上海市浦东新区张江高科技园区高斯路497号
（72）发明人江润峰
（74）专利代理机构上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人陆花
（51）Int.CI
C01B33/12;
权利要求说明书说明书幅图
（54）发明名称
利用正硅酸乙酯制备二氧化硅的设备及方法
（57）摘要
本发明提供了一种利用正硅酸乙酯制备二
氧化硅的设备及方法。正硅酸乙酯反应腔与泵相
连，正硅酸乙酯反应腔通过第一气体流量计连接
至正硅酸乙酯气体源；并且，在正硅酸乙酯气体
源与第一气体流量计之间的运气管路上布置了第
一加热保护套，在正硅酸乙酯反应腔与第一气体
流量计之间的运气管路上布置了第三加热保护
套；而且，所述第一加热保护套C1的温度被设定
为100℃，所述第三加热保护套的温度被设定为
高于100℃，例如120℃。本发明将靠近正硅酸乙
酯气体源的加热保护套的温度设定为100℃，靠
近正硅酸乙酯反应腔的加热保护套的温度设定为
更高温度；由此防止气体在靠近正硅酸乙酯反应
腔的管路中的凝聚，达到了即保护密封圈，又减
少颗粒的目的。
法律状态
法律状态公告日法律状态信息法律状态
2012-09-19公开公开
2012-11-14实质审查的生效实质审查的生效
2014-01-29授权授权
权利要求说明书
利用正硅酸乙酯制备二氧化硅的设备及方法的权利要求说明书内容是请下载后查看
说明书
利用正硅酸乙酯制备二氧化硅的设备及方法的说明书内容是请下载后查看
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