【微结构半导体中子探测器的理论和性能参数1700字】.docVIP

微结构半导体中子探测器的理论和性能参数综述

1.1微结构半导体中子探测器理论

中子探测器工作原理实际是PN结二极管在反向偏压下的工作。因为中子对外不显电性，没有办法把中子直接探测发现，只有将中子和其他物质反应，产生可以被探测的物质，这样就可以间接探测到中子。如图2-1REF_Re\r\h[20]所示，为平面型半导体中子探测器的原型图，当入射的中子与涂抹在器件表面的转化层进行反应时，产生带电粒子。而当在PN结上加一定负电压时，耗尽区会最终达到全耗尽，此时死区非常薄，反向的电压差不多都加在了PN结上，形成的电场能量特别高。PN结的灵敏区里，中子反应后的粒子电离，会