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Ga2O3材料制备方法的研究进展

摘要：作为一种新兴的超宽带隙半导体，氧化镓（GaO）受到了广泛的关注。高质量的块状晶体和

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薄膜是结构、电学和光学特性的基础研究和进一步器件制造的起点，为了实现高性能的GaO基器件，必须

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通过控制载流子密度、缺陷密度和界面密度来制备高质量的GaO薄膜和单晶。在本文中，我们将简要概述

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大块单晶合成以及不同外延生长技术的特性和研究进展，并指出了目前研究中存在的困难和挑战。

1引言

氧化镓（GaO）被用作透明导电氧化物（TCO），直到最近才被研究为一种

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新兴的超宽带隙（UWBG）半导体，室温带隙为4.5–4.9eV，大于对应的SiC

（~3.2eV）和GaN（~3.4eV）。它具有优异的化学和热稳定性，最高可达1400℃

由于带隙非常大，它的击穿场强约为6-8MVcm，并且在深紫外（UV）和可见波

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长区域中具有很高的透明度。在过去的十年中，由于大量高质量大块晶体以及薄

膜的生长，激发了大量的研究工作，将GaO用于大功率电子器件和日盲光电探

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测器。高质量的块状晶体和薄膜是结构、电学和光学特性的基础研究和进一步器

件制造的起点。本节将简要介绍大块单晶和不同外延薄膜生长技术的研究进展。

对于β-GaO大块单晶的生长，采用了多种技术，包括焰熔法（Verneuil）、

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光学浮区法（OFZ）、柴可拉斯基法（Czochralski）、垂直布里奇曼法

（VerticalBridgman）和导模法（EFG）。Chase和Lorenz等人使用焰熔法进行

了早期生长GaO大块晶体的试验。在室温下，焰熔法获得的最大尺寸为

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20×8×2mm，霍尔迁移率约为100cm/Vs，由于生长过程中产生的高机械应力

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和获得的尺寸有限，目前仅采用焰熔法生长β-GaO。OFZ法在生长β-GaO晶

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体中的应用最早是由Víllora等人提出的，在2004年实现了衬底级晶体的生长

(约1英寸)。β-GaO的OFZ生长在晶体质量和掺杂水平上都表现出很强的可控

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性，通过改变生长气氛和掺杂浓度，可获得较宽的电导率范围(10Scm-38S

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cm)。然而，通过OFZ方法获得大尺寸晶体受到光学加热的限制。β-GaO单晶

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的柴可拉斯基法是Tomm等人首次报道的，并由Galazka等人在2014年实现了直

径为2英寸的β-GaO单晶生长。然而，较大的晶体生长过程中氧含量较高，阻

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碍了其生长。在这些方法中，EFG是生产2英寸以上大尺寸晶圆的主要候选方法

之一，具有低缺陷密度和高晶体质量，这种方法也被广泛用于蓝宝石晶圆的批量

生产。

由于商业上可获得的金属和O的高纯度水平，以及入射物质的低能量(~1