3.1.4双极型晶体管 - 双极型晶体管-2.ppt

3.2.4晶体管的共射特性曲线iB是输入电流，uBE是输入电压。iC是输出电流，uCE是输出电压。输入特性曲线——iB=f(uBE)?uCE=const输出特性曲线——iC=f(uCE)?iB=const共发射极接法晶体管的特性曲线包括：共发射极接法的电压-电流关系1.输入特性曲线(1)UCE=0V，iB和uBE和呈指数关系，类似于半导体二极管的特性。(2)当UCE增加时，集电结收集电子能力增加，曲线右移。(3)UCE≥1V，曲线右移不明显。近似用UCE=1V曲线代替。 NPN型晶体管的共射输入特性曲线输入特性曲线——iB=f(uBE)?uCE=const它是以IB为参变量的一族特性曲线。NPN型晶体管的共射输出特性曲线2.输出特性曲线当UCE稍增大时，IC随着UCE增加而增加。当UCE=0V时，集电极无收集作用，IC=0。当UCE继续增加使集电结反偏电压较大时，UCE再增加，电流也没有明显的增加。输出特性曲线——iC=f(uCE)?iB=const输出特性曲线可以分为三个区域:饱和区——iC受uCE显著控制的区域，该区域内uCE的数值较小，一般UCE＜0.7V(硅管)。此时发射结正偏，集电结正偏或反偏电压很小。截止区——iC接近零的区域，相当iB=0的曲线的下方。此时，发射结反偏或正偏电压小于开启电压。。放大区——iC平行于uCE轴的区域，曲线基本平行等距。此时，发射结正偏，集电结反偏，电压大于0.7V左右(硅管)。输出特性曲线的分区截止区饱和区晶体的参数分为三大类:直流参数、交流参数、极限参数(1)直流电流放大系数①共发射极组态直流电流放大系数1.直流参数对共射组态的电流放大系数，在UCE不变的条件下，输出集电极电流ICQ与输入基极电流IBQ之比，定义：3.2.5晶体管的主要参数输出特性曲线②共基极组态直流电流放大系数称为共基极直流电流放大系数。①集电结的反向饱和电流ICBOICBO是发射极开路时集电结的反向饱和电流。②穿透电流ICEOICEO是基极开路时集电极与发射极之间的穿透电流。ICEO=（1+）ICBO(2)极间反向电流在共射接法输出特性曲线上，通过垂直于X轴的直线求取?iC/?iB。在输出特性曲线上求β2.交流参数(1)交流电流放大系数①共发射极交流电流放大系数?Q②共基极交流电流放大系数?

(2)特征频率fT晶体管的?值不仅仅与工作电流有关，而且与工作频率有关。由于结电容的影响，当信号频率增加时，晶体管的?值将会下降。当?下降到1时所对应的频率称为特征频率，用fT表示。当ICBO和ICEO很小时，≈?、≈?，可以不加区分。(3)共射截止频率fβ低频时共发射极交流电流放大系数为?0。?下降到?0/时所对应的信号频率称为晶体管的共射截止频率，用fβ表示。(4)共基截止频率fα低频时共基极交流电流放大系数为α0。α下降到α0/时所对应的信号频率称为晶体管的共基截止频率，用fα表示。特征频率、共射截止频率和共基截止频率三者之间大致满足如下关系：(1)集电极最大允许电流ICM3.极限参数当集电极电流增加到一定程度，?就要下降，使?值明显减小所对应的IC称为集电极最大允许电流ICM。(2)集电极最大允许功率损耗PCMpC=iC×uCE，PCM表示集电结上最大允许耗散功率。(3)反向击穿电压反向击穿电压表示晶体管电极间承受反向电压的能力。晶体管击穿电压的测试电路1.U(BR)CBO——发射极开路时的集电结击穿电压。下标BR代表击穿之意，是Breakdown的字头，CB代表集电极和基极，O代表第三个电极E开路。2.U(BR)EBO——集电极开路时发射结的击穿电压。3.U(BR)CEO——基极开路集电极和发射极间的击穿电压。对于U(BR)CER表示BE间接有电阻，U(BR)CES表示BE间是短路的。几个击穿电压在大小上