(完整版)半导体封装技术向高端演进(从DIP、SOP、QFP、PGA、BGA到CSP再到SIP).pdfVIP

不飞则已，一飞冲天；不鸣则已，一鸣惊人。——《韩非子》

半导体器件有许多封装形式，按封装的外形、尺寸、结构分类可分为

引脚插入型、表面贴装型和高级封装三类。从DIP、SOP、QFP、PGA、

BGA到CSP再到SIP，技术指标一代比一代先进。总体说来，半导体

封装经历了三次重大革新：第一次是在上世纪80年代从引脚插入式

封装到表面贴片封装，它极大地提高了印刷电路板上的组装密度；第

二次是在上世纪90年代球型矩阵封装的出现，满足了市场对高引脚

的需求，改善了半导体器件的性能；芯片级封装、系统封装等是现在

第三次革新的产物，其目的就是将封装面积减到最小。

高级封装实现封装面积最小化

芯片级封装CSP。几年之前封装本体面积与芯片面积之比通常都

是几倍到几十倍，但近几年来有些公司在BGA、TSOP的基础上加以改

进而使得封装本体面积与芯片面积之比逐步减小到接近1的水平，所

以就在原来的封装名称下冠以芯片级封装以用来区别以前的封装。就

目前来看，人们对芯片级封装还没有一个统一的定义，有的公司将封

装本体面积与芯片面积之比小于2的定为CSP，而有的公司将封装本

体面积与芯片面积之比小于1.4或1.2的定为CSP。目前开发应用最

为广泛的是FBGA和QFN等，主要用于内存和逻辑器件。就目前来看，

CSP的引脚数还不可能太多，从几十到一百多。这种高密度、小巧、

扁薄的封装非常适用于设计小巧的掌上型消费类电子装置。

CSP封装具有以下特点：解决了IC裸芯片不能进行交流参数测试

和老化筛选的问题；封装面积缩小到BGA的1/4至1/10；延迟时间缩

到极短；CSP封装的内存颗粒不仅可以通过PCB板散热，还可以从背

不飞则已，一飞冲天；不鸣则已，一鸣惊人。——《韩非子》

面散热，且散热效率良好。就封装形式而言，它属于已有封装形式的

派生品，因此可直接按照现有封装形式分为四类：框架封装形式、硬

质基板封装形式、软质基板封装形式和芯片级封装。

多芯片模块MCM。20世纪80年代初发源于美国，为解决单一芯

片封装集成度低和功能不够完善的问题，把多个高集成度、高性能、

高可靠性的芯片，在高密度多层互联基板上组成多种多样的电子模块

系统，从而出现多芯片模块系统。它是把多块裸露的IC芯片安装在

一块多层高密度互连衬底上，并组装在同一个封装中。它和CSP封装

一样属于已有封装形式的派生品。

多芯片模块具有以下特点：封装密度更高，电性能更好，与等效

的单芯片封装相比体积更小。如果采用传统的单个芯片封装的形式分

别焊接在印刷电路板上，则芯片之间布线引起的信号传输延迟就显得

非常严重，尤其是在高频电路中，而此封装最大的优点就是缩短芯片

之间的布线长度，从而达到缩短延迟时间、易于实现模块高速化的目

的。

WLCSP。此封装不同于传统的先切割晶圆，再组装测试的做法，而是

先在整片晶圆上进行封装和测试，然后再切割。它有着更明显的优势：

首先是工艺大大优化，晶圆直接进入封装工序，而传统工艺在封装之

前还要对晶圆进行切割、分类；所有集成电路一次封装，刻印工作直

接在晶圆上进行，设备测试一次完成，有别于传统组装工艺；生产周

期和成本大幅下降，芯片所需引脚数减少，提高了集成度；引脚产生

的电磁干扰几乎被消除，采用此封装的内存可以支持到800MHz的频

不飞则已，一飞冲天；不鸣则已，一鸣惊人。——《韩非子》

率，最大容量可达1GB，所以它号称是未来封装的主流。它的不足之

处是芯片得不到足够的保护。