电气测试技术（第5版）课件：霍尔式传感器.pptx

28December2024霍尔式传感器3.15.1霍尔式传感器工作原理3.15.2霍尔元件的特性及其补偿3.15.3霍尔集成电路3.15.4霍尔传感器的应用及实例

28December20243.15.1霍尔式传感器工作原理霍尔式传感器是基于某些半导体材料的霍尔效应原理制成的。半导体薄片的两端通以电流，而在垂直方向施加磁感应强度，在半导体的两侧会产生电动势，这一现象称为霍尔效应，见图3-145a。产生的电动势称为霍尔电动势；半导体薄片称为霍尔元件。图3-145霍尔效应及基本电路

28December2024设霍尔元件为N型半导体材料制成，电子为多数载流子，施加电流后，多数载流子沿着相反的方向运动，电子在磁场中受到洛仑兹力的作用，即：式中，为电子电量；为电子的速度。在的作用下，电子向一侧偏转，见图3-145a的虚线所示。因此，在半导体薄片的一侧有电子积累而带负电荷，而另一侧因缺少电子而带正电荷，于是在半导体薄片两侧建立静电场。作用于运动电子的电场力为：式中，为霍尔元件的宽度。

28December2024电场力阻止电子继续偏转。当时，达到动态平衡，由式（3-153）和（3-154）得： （3-155）半导体的电流密度可用其电子浓度来表示，即：因此，电流为：由上式求得为： （3-156）将上式代入式（3-155），得： （3-157）为霍尔元件的厚度；为霍尔元件的灵敏度，，其量纲为[mV/（mA·T）]。

28December2024霍尔元件的灵敏度是极为重要的参数。表示霍尔元件在单位电流、单位磁感应强度作用下，元件输出霍尔电势的大小。一般要求愈大愈好。半导体的电子浓度适中，而且可通过掺杂来控制电子浓度，因此，毫不例外地应采用半导体作为霍尔元件的材料。此外，愈小，愈大，但是不能做得太薄，否则增加霍尔元件的输入和输出电阻。式（3-157）是在磁感应强度与元件平面垂直条件下导出的。若与元件平面法线成一角度，则作用于元件的有效磁感应强度为，因此，式（3-157）变为：霍尔元件的基本连接电路见图3-145b。图中，RP调节元件的电流；为霍尔元件的负载电阻，通常为放大器或测量电路的输入阻抗。

28December20243.15.2霍尔元件的特性及其补偿霍尔元件的特性：特性磁感应强度为常数，在一定温度下，电流与之间的关系称为元件的特性，见图3-146a。特性电流固定，霍尔元件开路输出与磁感应强度的关系称为元件的特性，见图3-146b。特性霍尔元件的输入电阻或输出电阻与磁感应强度的关系称为元件的特性，见图3-146c。图3-146霍尔元件的特性

28December2024霍尔元件特性补偿如前所述，霍尔元件用半导体材料制成。由于半导体的特性受环境温度的影响较严重，故必须对霍尔元件的特性进行补偿。温度补偿图3-147霍尔元件的特性补偿a）恒流源b）热敏电阻补偿电流c）热敏电阻补偿

28December2024不等位电动势的补偿作用于霍尔元件的磁感应强度，控制电流，，而，称为不等位电动势。产生不等位电动势的原因有两种：其一为元件的电流极或电势极不焊接在等位面上；其二为元件的电阻率不均匀。图3-148不等位电动势及其补偿a）不等位电动势的产生b）补偿电路

28December20243.15.3霍尔集成电路随着微电子技术的发展，目前霍尔元件与测量电路已集成化，二者融为一体。霍尔集成块有线性集成块和开关集成块两种。线性集成块又有内部有线性化补偿和内部无线性化补偿两种。开关型集成电路开关型霍尔集成电路内部组成框图见图3-149a。线性集成电路线性霍尔集成电路的组成框图见图3-149b。霍尔集成电路的外形见图3-149c。使用时磁敏感面应正对磁感应强度。图3-149霍尔集成电路框图