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3三极管放大电路基础

晶体二极管:Diode

○半导体器件的基础；

●主要特性是单向导通性；

○二端器件，应用时不易控制。

●晶体三极管：BipolarJunctionTransistors(BJT)

○三端器件，应用时易于控制；

●用来实现受控源，它是放大器设计的基础。

3三极管放大电路基础

晶体三极管是由两个靠得很近并

且背对背排列的PN结，它是由

自由电子与空穴作为载流子共同

参与导电的，因此晶体三极管也

称为双极型晶体管(Bipolar

JunctionTransistors)，简称

BJT。

3三极管放大电路基础

晶体三极管的物理结构与工晶体管放大模式的工作原理晶体管的实际结构与等效电

作模式路模型

晶体管的饱和与截止模式晶体管特性的图形表示晶体管电路的直流分析

晶体管放大器晶体管的交流小信号等效模放大器电路的图解分析

型

10晶体管放大器的直流偏置11单级晶体管放大器电路

3.1三极管的物理结构与工作模式

物理结构与电路

根据PN结的排列方式0103图3-1-1NPN型(a)物

发射结（EBJ）

不同，晶体三极管符集号电结（CBJ）理结构(b)电C路符号

NPN型和PNP型两种。

发射极（E）N+型P型N型集电极（C）

B

02

发射区基区集电区

型三极管的物理

NPN金属接触

结构和电路符号如图E

基极3-1（-1B所）示。

(b)

(a)

3.1三极管的物理结构与工作模式

物理结构与电路符号

发射结（EBJ）集电结（CBJ）

lPNP型三极管的物理结构和电路符号E

发射极（E）P+型如图3-N1型-2所示。P型集电极（C）

图3-1-2PNP型(a)物理结构(b)电路符B号

发射区基区集电区