第1章半导体器件训练题.docxVIP

第一章常用半导体器件

一、判断题

1.因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。（×）

2.在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体。（√）

3.PN结在无光照、无外加电压时，结电流为零。（√）

4.在稳压管稳压电路中，稳压管的最大稳定电流必须大于最大负载电流。（√）

5.稳压管的稳压区是其工作在反向击穿状态。（√）

6.电路如图1所示，二极管为理想元件，则UO＝－2V。（×）

图1

7．图2所示稳压二极管电路中输入电压Ui＝10V，RL=500?，稳压二极管的稳定电压UZ＝5V，IZ=10mA，则限流电阻R应选250?的电阻。（√）

图2

8.PNP型三极管是锗管，NPN型三极管是硅管。（×）

9.如图3，测得放大电路中晶体管的三个电极直流电位如图中所示，表明该晶体管是PNP管。（√）

10.如图4，某放大电路中的晶体管两个电极电流如图中所示，因此求得晶体管的电流放大系数β为100。（√）

图3图5

11.如图5，当UI＝10V，UZ＝6V，最小稳定电流IZmin＝5mA输出电压UO为6伏。（×）

12.某晶体管处于放大状态，测得其三个极的电位分别为9V、2.5V和3.2V，则这三个电极分别为基极、集电极和发射极。（×）

13.结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其RGS大的特点。（√）

14.在稳压管稳压电路中，稳压管的最小稳定电流可以小于最小负载电流。（√）

15.处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。（×）

二、选择题

1.使晶体三极管工作在放大状态，其外部条件是（A）。

A.发射结正偏，集电结反偏B.发射结反偏，集电结反偏

C.发射结正偏，集电结正偏D.发射结反偏，集电结正偏

2.稳压管二极管的稳压区是其工作在（C）。

A.正向导通区B.反相截止区C.反相击穿区D.死区

3.如图1，测得放大电路中晶体管的三个电极直流电位如图中所示，表明该晶体管的类型是（B）。

A.NPN管B. PNP管C.无法判断。

4.如图2，某放大电路中的晶体管两个电极电流如图中所示，因此求得晶体管的电流放大系数β为（A）。

A.100B. 10C.无法求出。

图3

5.如图3，当UI＝10V时，若稳压管UZ＝6V，最小稳定电流IZmin＝5mA，则输出电压UO为（C）伏。

A.6；B.4；C.3.33。

6.晶体三极管工作在截止区，则（B）。

A.发射结正偏，集电结反偏B.发射结反偏，集电结反偏

C.发射结正偏，集电结正偏

7.稳压二极管反向击穿后，其后果是（B）。

A.永久性损坏B.只要流过管子的电流不超过规定值允许的范围，管子不会损坏

C.由于击穿而导致性能下降D.不起稳压作用

8.若测得电路中NPN型三极管的各极直流电位为：VB=1V，VC=0.7V，VE=0.3V，则三极管处于（A）状态。

A饱和B截止C放大 D无法判断

9.工作在放大区的某三极管，如果当IB从12μA增大到22μA时，IC从1mA变为2mA，那么它的β约为（C）。

A.83B.91C.100

10.当场效应管的漏极直流电流ID从2mA变为4mA时，它的低频跨导gm将（A）。

A.增大B.不变C.减小

11.现测得放大电路中晶体管两个电极的电流如图4所示。则管子是（A）型晶体管，电流放大系数β为（A）。

A.NPN、38.75B.NPN、1.03C.PNP、38.75D.PNP、1.03

图4

12.用直流电压表测得放大电路中某三极管各极