电子技术基础课件：晶体管.pptx

;晶体管又称为双极型半导体晶体管，因由两种载流子（空穴和自由电子）都参与导电而得名，用字母VT表示，它有两大类型，即PNP型和NPN型。实际应用时它的种类有很多，按半导体材料可分为：硅管和锗管；按功率大小分为：大、中、小功率管；按工作频率分为：高频管和低频管；按封装形式分为：金属封装和塑料封装等。;（1）晶体管的结构与符号

晶体管是在一块半导体上通过特定的工艺掺入不同杂质的方法制成两个背靠背的PN结，并引出三个电极构成的，如图1-11所示。;下页;晶体管有三个区：发射区，基区，集电区。各区引出的电极依次是发射极E，基极B，集电极C。

发射区和基区形成的PN结称为发射结；

集电区和基区形成的PN结称为集电结。;（2）晶体管的电流放大作用

尽管晶体管从结构上看相当于两个二极管背靠背的串连在一起的，但是把两个二极管按上述关系简单连接时，将会发现并没有放大作用。晶体管之所以有放大作用是由它特殊的内部特殊结构和外部条件共同决定的。

晶体管内部特殊结构：

第一：基区很薄，通常只有1微米至几十微米，而且掺杂浓度比较低。

第二：发射区是重掺杂区，所以多数载流子的浓度很大。

第三：集电区的面积最大。;应满足的外部条件：所加的直流电源必须保证发射结正偏，集电结反偏。;由于发射结获正向偏置电压，其压降值很小（硅管约为0.7V），所以VCC主要降落在电阻RC和集电结两端，使集电结获得反向偏置电压，使集电结处于反偏状态。这样，VBB使发射结处于正偏状态，VCC使集电结处于反偏状态，满足了放大作用的外部条件。图中发射极E是输入回路和输出回路的公共端，这种连接方式的电路称为共发射极电路。;2）载流子的运动规律

电源VBB经过电阻RB使发射结正偏，这样发射区的多数载流子（自由电子）不断越过发射结而进入基区。电子进入基区后，少数电子通过基极流出，形成基极电流，剩下大量的电子使基区靠近发射结的电子浓度很大，而靠近集电结的电子浓度很低，这样在基区存在明显的浓度差，在浓度差的作用???，促使电子流在基区中向集电结扩散，由于集电结外加反向电压，这个反向电压产生的电场将阻止集电区的电子向基区扩散，但能够促使基区内扩散到集电结附近的电子将作漂移运动到达集电区，形成集电极电流。;3）晶体管的电流分配关系

综合载流子的运动规律，晶体管内的电流分配如图1-13所示，图中箭头方向表示电流方向。;由上述电流分配关系可知，在共发射极电路中，集电极电流IC正比于基极电流IB。如果能控制IB就能控制IC，而与集电极外部电路无关，所以晶体管是一个电流控制器件。

以上分析的是NPN型晶体管的电流放大原理，对于PNP型晶体管，其工作原理相同，只是晶体管各级电压极性相反，发射区发射的载流子是空穴而不是电子。;晶体管有三个电极，而在连成电路时，必须有两个电极接输入回路，两个电极接输出回路，这样必然就有一个公共端公用，根据公共端的不同，可以有三种基本连接方式。;晶体管的特性曲线全面反映了晶体管各级电压与电流之间的关系，是分析晶体管各种电路的重要依据。;（1）输入特性曲线

如图1-15（a），由输入回路写出晶体管输入特性的函数式：;（2）输出特性曲线

如图1-15（a）所示的输出回路可写出晶体管输出特性的函数式：;1）放大区

在iB＝0的特性曲线上方，各条输出特性曲线近似平行于横轴的曲线簇部分。不同iB的特性曲线的形状基本上是相同的，而且uCE＞1V后，特性曲线几乎与横轴平行，iB等量增加时，曲线等间隔地平行上移。即iB＝常数的情况下，晶体管uCE增大时，几乎不变，即具有恒流特性。在放大区，iC的变化随iB变化。即。所以把这一区域称为放大区。此时发射结处于正向偏置且uBE0.5v，集电结处于反向偏置且uCE≥1V。;2）截止区

在iB＝0曲线以下的区域称为截止区，这时iC=0。集电极到发射极只有微小的电流，称其为穿透电流。晶体管集电极与发射极之间近似开路，类似开关断开状态，无放大作用，呈高阻状态。此时uBE低于死区电压，晶体管截止，发射结和集电结都处于反向偏置。;3）饱和区

uCE比较小，且小于uBE时，uCB＝uCE--uBE0，iC随uCE的增大迅速上升而与iB不成比例，即不具有放大作用，这一区域称为饱和