T CASAS 034—2024 用于零电压软开通电路的氮化镓高电子迁移率晶体管动态导通电阻测试方法.pdfVIP

ICS31.080

CCSL40/49

团体标准

T/CASAS034—2024

用于零电压软开通电路的氮化镓高电子迁

移率晶体管(HEMT)动态导通电阻测试方法

Dynamicon-resistancetestmethodforGaNhighelectronmobility

transistor(HEMT)inzero-voltage-switching-oncircuits

2024-09-30发布2024-09-30实施

第三代半导体产业技术创新战略联盟发布

目次

前言III

引言IV

1范围1

2规范性引用文件1

3术语和定义1

4零电压软开通电路动态导通电阻测试原理2

5测试条件3

6测试装置4

7测试程序4

测试方法4

测试流程6

8数据记录和处理7

9试验报告7

附录A（资料性）用于零电压软开通电路的GaNHEMT动态导通电阻测试记录表8

参考文献9

前言

本文件按照GB/T1.1—2020《标准化工作导则第1部分：标准化文件的结构和起草规则》的规

定起草。

请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别专利的责任。

本文件由北京第三代半导体产业技术创新战略联盟标准化委员会（CASAS）制定发布，版权归CASAS

所有，未经CASAS许可不得随意复制；其他机构采用本文件的技术内容制定标准需经CASAS允许；任何

单位或个人引用本文件的内容需指明本文件的标准号。

本文件主要起草单位：浙江大学、浙江大学杭州国际科创中心、广东工业大学、工业和信息化部电

子第五研究所、电子科技大学、南京大学、佛山市联动科技股份有限公司、佛山市国星光电股份有限公

司、西交利物浦大学、香港科技大学、深圳智芯微电子科技有限公司、深圳市大能创智半导体有限公司、

华为技术有限公司、苏州能讯高能半导体有限公司、英诺赛科(苏州)半导体有限公司、纳微达斯半导体

（上海）有限公司、杭州士兰微电子股份有限公司、英飞凌科技（中国）有限公司、矽力杰半导体技术

(杭州)有限公司、浙江聚新汽车电子有限责任公司、连云港杰瑞电子有限公司、晟星和科技（深圳）有

限公司、杭州蔚斯博系统科技有限公司、深圳英飞源技术有限公司、深圳市航嘉驰源电气股份有限公司、

东莞立讯技术有限公司、深圳市振华微电子有限公司、小米通讯技术有限公司、阳光电源股份有限公司、

长城电源技术有限公司、北京第三代半导体产业技术创新战略联盟。

本文件主要起草人：吴新科、董泽政、贺致远、施宜军、明鑫、周峰、刘庆源、成年斌、刘雯、孙

佳慧、文豪、谢斌、周泉斌、裴轶、田水林、刘小明、徐迎春、贾利芳、宋清亮、赵晨、徐昌国、王廷

营、毛敏、刘钢、柳树渡、赵燕军、王福强、湛坤、林梓彦、王腾飞、蔡磊、赵璐冰。

引言

随着电力电子系统对电源模块功率密度的需求不断提升，开关器件在其中的应用趋向高频化。为了

应对高频化开关损耗增加的问题，零电压软开通技术逐渐在基于GaN器件的高频功率变换中得到广泛

应用，例如DC-DC中的LLC谐振变换电路和AC-DC中的图腾柱PFC等。在GaNHEMT功率器件的

开通和关断过程中引入谐振，消除电压和电流的重叠，即为GaNHEMT的零电压软开通过程。由于GaN

HEMT在零电压软开通过程中没有热电子冲击，器件沟道中二维电子气浓度的变化情况与硬开通时不

同。现有用于硬开关电路的GaNHEMT动态导通电阻测试方法中的测试电路无法用于实现零电压软开

通模式，因此，对于工作在零电压软开通模式下的GaNHEMT动态导通电