多晶硅基础知识点.doc

块状硅多晶具有无规则的形状和随机尺寸分布，其线性尺寸最小为〔6mm〕最大为(100mm).

探针绝缘性，一探针〔包括连接弹簧和外部引线〕及任何其他探针或装置任一局部之间绝缘电阻大于〔109Ω〕。

对于P型单晶，在〔6〕倍熔区处读取电阻率值，该值即为样品的基硼电阻率值。

对于N型单晶，在〔8〕倍熔区处读取电阻率值，该值即为样品的基磷电阻率值。

热探笔上所用的电阻丝的功率一般只需〔10～15W〕.

冷热探笔法一般适用于室温电阻率在〔1000Ω〕以下的硅单晶。

整流法一般适用于室温电阻率在〔1～1000Ω〕的硅单晶。

单晶在测试过程中应保证环境温度〔23±2℃〕，温度〔≤65%〕，〔电磁屏蔽，无强光照射〕。

四探针恒流源的光流范围为(10-1～10-6A),稳定度优于〔±0.05%〕。

四、简答题

基磷电阻率

〔Ω〕

基硼电阻率

〔Ω〕

N型少数载流子寿命

〔μs〕

国标电子级一级

≥500

≥3000

≥500

国标电子级二级

≥300

≥2000

≥300

国标电子级三级

≥200

≥1000

≥100

太阳能级一级

≥100

≥500

≥100

太阳能级二级

≥40

≥200

≥50

太阳能级三级

≥20

≥100

≥30

2.物理性能检测中样品制备的事故判断处理及预防

1.为防止机械对人造成伤害，上班前，按规定穿戴好劳保用品，使用酸碱时，穿戴好防护用品，在通风良好的条件下操作。

2.假设发现机器电机转动声音异常，应立即停顿进展检查，正常后即可投入使用。

3.假设酸碱液溅在皮肤上，立即用大量清水冲洗。

4.使用耐酸手套前要检查是否完好。

5.钻取样品时，假设出现松动，应立即停机，紧固前方可进展加工，手动进刀时，一般按照均匀进给的原则进展，以免用力过猛造成事故。

3.物理性能检测中区熔制备硅单晶的控制要点

1.在装炉时，原料棒及籽晶要做到安放平整、对中、稳定可靠。

2.在对磷检炉操作过程中，通入氩气时要控制号氩气的阀门，流量由小到大，逐步接近工艺规定值。

3.熔接时，要选择适宜的功率，升温不能过急，注意熔区在感应线圈中的位置是否得当。

4.初始拉速不能由零突越至拉制速度，应缓慢增大。

5.选择适当的供料速度，确保熔区体积不变，熔区稍微饱满为好。

6.在单晶生长过程中，要控制好硅熔区，防止熔区流垮，同时尽力保持拉制棒材直径的均匀性。

7.在进展收尾工作时，控制好速度，不能过快，以免产生位错。

4.简述物理性能检测的工艺流程图

用大型切断机切取温圈氧化夹层片〔线1〕

用大型切断机切取温圈氧化夹层片〔线1〕

用大型切断机对样品进展切断〔线2〕产品取样样品退火

用大型切断机对样品进展切断〔线2〕

线1腐蚀清洗送检测岗位检测

线2用大型切断机对样棒进展去应力切割取硅芯层和生长层棒样

腐蚀清洗区熔检测导电类型检测样品电阻率

检测样品少子寿命对单晶棒样进展红外样片切割对切割片样进展研磨抛光、制备成红外样将红外样片送质监进展后续检测

5.单晶硅中间隙氧样品要求：

〔1〕样品的厚度范围为0.04cm～0.4cm；

〔2〕单晶硅样片，样片经双面研磨抛光。

〔3〕加工后样片的两个面应尽可能平行，所成角度小于1°

〔4〕其厚度差应小于等于0.5%，

〔5〕外表平整度应小于所测杂质谱带最大吸收处波长的1/4。样品外表不应有氧化层。

5.四探针法测量电阻率的测准条件有哪些？

〔1〕样品的几何尺寸必须近似满足半无限大，具体的说即样品的厚度必须大于3倍针距，探针头中任一探针离样品边缘的最近距离不得小于3倍针距〔纵向、横断面电阻率测试的选择均由此而来〕。

〔2〕测量区域的电阻率应是均匀的，为此针距不宜过大，一般采用1～2mm左右的针距较适宜。

〔3〕四根探针应处于同一平面的同一直线上，为此要求四根探针严格的排成一直线，还要求样品外表平整。

〔4〕四探针及试样应有良好的欧姆接触，为此探针应当比拟尖，及样品的接触点应是半球形，使电流成放射状发散〔或汇拢〕，且接触半径应远远小于针距，一般要求接触半径不大于50微米左右，针头应有一定压力，一般取2×9.8N较适宜。

〔5〕电流通过样品不应引起样品的电导率发生变化。

干扰因素：

1〕陷阱效应影响：室温下的硅和低温下的锗，载流子陷阱会产生影响。如果试样中存在电子或空穴陷阱，脉冲光停顿后，非平衡少数载流子将保持较高浓度并维持相当长时间，光电导衰减曲线会出现一条长长的尾巴。在这段衰减曲线上进展测量将错误的导致寿命值增大。

2〕外表复合影响：外表如果处理不好，会影响少子寿命

3〕注入量的影响：测量时试样电导率条幅必须很小，这样试样上电势差的衰减才等价于光生载流子的