机械设备行业深度报告AI浪潮势不可挡国产半导体设备迎先进工艺产线资本开支潮-24020520页.pdfVIP

机械设备

行

业机械设备AI浪潮势不可挡，国产半导体设备迎先进工艺产线

研

究2024年02月05日

资本开支潮

投资评级：看好（维持）——行业深度报告

行业走势图

孟鹏飞（分析师）

机械设备沪深300mengpengfei@kysec.cn

10%证书编号：S0790522060001

0%

AI浪潮势不可挡，国内先进制程与先进封装产线资本开支加速

-10%

高性能运算（HPC）已经成为全球半导体产业发展的核心支柱，算力升级离不

-19%

行-29%开AIGPU的支撑。AIGPU首先要通过先进制程工艺制造存储与逻辑芯片，再

业

-38%采用2.5D/3D先进封装工艺来提升系统性能。目前，国内两大存储厂已分别在

深2023-022023-062023-10

度3DNAND、LPDDR5取得技术突破，高性能AI芯片出海代工受限加剧国内

数据来源：聚源

报FinFET产能紧缺，终端龙头回归推动长电科技、通富微电等封测厂商加大在先

告

相关研究报告进封装领域布局。在瓶颈设备进口数据乐观、国产配套设备工艺覆盖度提升的

《携中国制造优势，出海寻求多元化背景下，国内存储、先进逻辑、先进封装产线扩产确定性强。

收益—行业周报》-2024.1.28

先进存储、逻辑产线对刻蚀、薄膜沉积、外延、量检测设备需求量增加

《特斯拉机器人进入研发迭代尾声，

2025年将成为放量里程碑—行业点评刻蚀：根据Yole，存储器件芯片结构从二维向三维转变使得等离子体刻蚀成为

报告》-2024.1.26步骤最多、最关键的工序，2025年预计占3DNAND制造设备总规模的73%，

《连接器在机器人领域的应用探讨—

极高深宽比刻蚀是3DNAND向200层甚至300层以上升级过程中最关键的工

行业周报》-2024.1.21

艺。因多次曝光的引入，12寸先进逻辑产线刻蚀设备用量是成熟制程产线的

2.4倍，一体化大马士革刻蚀为28纳米以下逻辑器件制造最核心的工艺之一。

薄膜沉积：先进逻辑产线约需超过100道薄膜沉积工序，是90nmCMOS工艺

开的2.5倍。其中，ALD设备因可以实现高深宽比、极窄沟槽开口的优异台阶覆

源

证盖率及精确薄膜厚度控制，成为先进逻辑、存储器件制造中必需的薄膜设备。

券

外延：在关键尺寸进入28nm及以下后，必须采用锗硅外延技术来加大PMOS

证的压应力，以提高器件整体响应速度。除以上三类设备外，先进逻辑产线对炉

券

研管、量检测等设备用量也提升，平台型厂商更受益于先进逻辑产线的扩产。

究CoW固晶、CMP、电镀、键合、量检测、光刻为先进封装高价值量环节

报

告HBM使用3D封装