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GH50H65DWB2-7AG
Datasheet
Automotive-gradetrenchgatefield-stop650V,50Ahigh-speedHB2seriesIGBT
featuringfreewheelingSiCdiodeinanH2PAK-7package
Features
TAB
7•AEC-Q101qualified
•Maximumjunctiontemperature:T=175°C
1J
•Highspeedswitchingseries
H2PAK-7•Minimizedtailcurrent
•LowVCE(sat)=1.6V(typ.)@IC=50A
•Tightparameterdistribution
C(TAB)•Lowthermalresistance
•PositiveVCE(sat)temperaturecoefficient
•Siliconcarbidediodewithno-reverserecoverychargeisco-packagedin
freewheelingconfiguration
G(1)•Excellentswitchingperformancethankstotheextradrivingkelvinpin
K(2)
Application
•Onboardcharger(OBC)
E(3,4,5,6,7)
•PFCconverter-singlephaseinput
IGBTG1K2E34567CTAB•LLCresonantconverter
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