模拟cmos集成电路设计课后答案中文.docx

模拟cmos集成电路设计课后答案中文

【篇一：北邮模拟cmos集成电路设计实验报告】

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实验一:共源级放大器性能分析

一、实验目的

1、掌握synopsys软件启动和电路原理图（schematic）设计输入方法；2、掌握使用synopsys电路仿真软件customdesigner对原理图进行电路特性仿真；

3、输入共源级放大器电路并对其进行dc、ac分析，绘制曲线；

4、深入理解共源级放大器的工作原理以及mos管参数的改变对放大器性能的影响

二、实验要求

1、启动synopsys，建立库及cellview文件。2、输入共源级放大器电路图。3、设置仿真环境。

4、仿真并查看仿真结果，绘制曲线。

三、实验结果

1、电路图

2、仿真图

四、实验结果分析

器件参数：

nmos管的宽长比为10，栅源之间所接电容1pf，rd=10k。实验结果：

输入交流电源电压为1v，所得增益为12db。

由仿真结果有：gm=496u，r=10k，所以增益av=496*10/1000=4.96=13.91db

实验二:差分放大器设计

一、实验目的

1.掌握差分放大器的设计方法；

2.掌握差分放大器的调试与性能指标的测试方法。

二、实验要求

1.确定放大电路；2.确定静态工作点q；3.确定电路其他参数。

4.电压放大倍数大于20db，尽量增大gbw，设计差分放大器；5.对所设计电路进行设计、调试；

6.对电路性能指标进行测试仿真，并对测量结果进行验算和误差分析。

三、实验结果

随着r的增加，增益也增加。但从仿真特性曲线我们可以知道，这会限制带宽的特性，w/l增大时，带宽会下降。为保证带宽，选取w/l=30，r=30k的情况下的数值，保证了带宽，可以符合系统的功能特性，实验结果见下图。

1.电路图

【篇二：集成电路设计王志功习题答案1-5章】

划分，集成电路的发展已经经历了哪几代？它的发展遵循了一条业界著名的定律，请说出是什么定律？

晶体管-分立元件-ssi-msi-lsi-vlsi-ulsi-gsi-soc。moore定律

2．什么是无生产线集成电路设计？列出无生产线集成电路设计的特点和环境。

拥有设计人才和技术，但不拥有生产线。特点：电路设计，工艺制造，封装分立运行。环境：ic产业生产能力剩余，人们需要更多的功能芯片设计

3．多项目晶圆（mpw）技术的特点是什么？对发展集成电路设计有什么意义？

mpw：把几到几十种工艺上兼容的芯片拼装到一个宏芯片上，然后以步行的方式排列到一到多个晶圆上。意义：降低成本。

4．集成电路设计需要哪四个方面的知识？

系统，电路，工具，工艺方面的知识

ch2

1．为什么硅材料在集成电路技术中起着举足轻重的作用?

原材料来源丰富，技术成熟，硅基产品价格低廉

2．gaas和inp材料各有哪些特点?p10,11

3．怎样的条件下金属与半导体形成欧姆接触？怎样的条件下金属与半导体形成肖特基接触？

接触区半导体重掺杂可实现欧姆接触，金属与掺杂半导体接触形成肖特基接触

4．说出多晶硅在cmos工艺中的作用。p13

5．列出你知道的异质半导体材料系统。

gaas/algaas,inp/ingaas,si/sige,

6．soi材料是怎样形成的，有什么特点?

soi绝缘体上硅，可以通过氧隔离或者晶片粘结技术完成。特点：电极与衬底之间寄生电容大大减少，器件速度更快，功率更低

7.肖特基接触和欧姆型接触各有什么特点？

肖特基接触：阻挡层具有类似pn结的伏安特性。欧姆型接触：载流子可以容易地利用量子遂穿效应相应自由传输。

8.简述双极型晶体管和mos晶体管的工作原理。p19,21

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1．写出晶体外延的意义，列出三种外延生长方法，并比较各自的优缺点。

意义：用同质材料形成具有不同掺杂种类及浓度而具有不同性能的晶体层。外延方法:液态生长，气相外延生长，金属有机物气相外延生长

2．写出掩膜在ic制造过程中的作用，比较整版掩膜和单片掩膜的区别，列举三种掩膜的制造方法。p28,29

3．写出光刻的作用，光刻有哪两种曝光方式？作用：把掩膜上的图形转换成晶圆上的器件结构。曝光方式有接触与非接触两种。

4．x射线制版和直接电子束直写技术替代光刻技术有什么优缺点？

x射线（x-ray）具有比可见光短得多的波长，可用来制作更高分辨率的掩膜版。电子束

扫描法，，由于高速电子的波长很短，分辨率很高

5．说出半导体工艺中掺杂的作用，举出两种掺杂方法，并比较其优缺点。

热扩散掺杂和离子注入法。与热扩散相比，离子注入法的优点如下：1.掺杂的过程可通过调整杂质