2025年高考化学二轮复习板块一题型突破专题九物质结构与性质选择题专项突破分级训练(二十)晶体结构与性质.docVIP

选择题专项突破分级训练(二十)晶体结构与性质

【强基练】

1.(2024·河北沧州部分示范性高中二模)砷化镓是重要的半导体材料，用于制作微波集成电路、红外线发光二极管等元件，砷化镓立方晶胞结构如图所示，晶胞参数为apm。下列说法正确的是()

A．每个Ga周围距离最近的Ga原子个数为8

B．Ga原子与As原子的最短距离为eq\f(\r(3),2)apm

C．该晶胞的质量为eq\f(580,NA)g(NA为阿伏加德罗常数的值)

D．一个晶胞中含有4个As原子和14个Ga原子

【答案】C

【解析】每个Ga周围距离最近的Ga原子个数为12，A错误；由晶胞结构可知，镓原子与砷原子的最短距离为体对角线的eq\f(1,4)，则镓原子与砷原子的最短距离为eq\f(\r(3),4)apm，B错误；该晶胞含有4个GaAs，晶胞质量为eq\f(nM,NA)＝eq\f(580,NA)g，C正确；一个晶胞中含Ga的个数为8×eq\f(1,8)＋6×eq\f(1,2)＝4,4个As原子，D错误。

2.(2024·湖北武汉市二模)超导现象一直吸引着广大科学家的关注。某超导材料的晶体结构属于四方晶系，其晶胞如图所示。下列说法错误的是()

A．第一电离能：I1(Cu)I1(Ba)

B．与Ba2＋等距且最近的Cu2＋有12个

C．该超导材料的化学式为HgBa2CuO4

D．该晶体的密度为eq\f(6.02×1032,a2cNA)g·cm－3

【答案】B

【解析】同一主族随原子序数变大，原子半径变大，第一电离能变小；同一周期随着原子序数变大，第一电离能变大，第一电离能：I1(Cu)I1(Ba)，A正确；由图可知，与Ba2＋等距且最近的Cu2＋有4个，B错误；根据“均摊法”，晶胞中含4×eq\f(1,4)＝1个Hg、2个Ba、8×eq\f(1,8)＝1个Cu、16×eq\f(1,4)＝4个O，则化学式为HgBa2CuO4，C正确；结合C分析可知，eq\f(\f(M,NA),a2c)×1030g·cm－3＝eq\f(602,a2cNA)×1030g·cm－3＝eq\f(6.02×1032,a2cNA)g·cm－3，D正确。

3.(2024·河北唐山二模)砷化镓是一种新型半导体材料，应用广泛。图甲为它的立方晶胞结构，图乙为该晶胞沿y轴的投影图。该晶胞的边长为dpm，在三维坐标系中a、b两点的原子坐标分别为(0,1,0)，(1,0,1)。下列说法错误的是()

A．As和Ga原子间的最近距离为eq\f(\r(2),2)dpm

B．Ga原子的配位数为4

C．c点的原子坐标为eq\b\lc\(\rc\)(\a\vs4\al\co1(\f(1,4)，\f(1,4)，\f(3,4)))

D．As原子填充在Ga原子围成的“正四面体空隙”中

【答案】A

【解析】由晶胞所示可知，Ga在8个顶点和6个面心，均摊为eq\f(1,8)×8＋eq\f(1,2)×6＝4，As在内部，为4个，As和Ga原子间的最近距离为体对角线的eq\f(1,4)，据此回答。As和Ga原子间的最近距离为体对角线的eq\f(1,4)，即为eq\f(\r(3),4)dpm，A错误；Ga原子周围与之最近的As为4个，即Ga原子的配位数为4，B正确；由甲、乙图可知，c点的原子坐标为eq\b\lc\(\rc\)(\a\vs4\al\co1(\f(1,4)，\f(1,4)，\f(3,4)))，C正确；根据晶胞结构可知，As原子占据Ga原子形成的正四面体空隙，D正确。

4.(2024·河北保定示范性高中二模)晶体世界丰富多彩、复杂多样，各类晶体具有的不同结构特点，决定着它们具有不同的性质和用途。氢化铝钠(NaAlH4)是一种新型轻质储氢材料，其晶胞结构如图所示，为长方体。设阿伏加德罗常数的值为NA。下列说法错误的是()

A．AlHeq\o\al(－,4)中中心原子Al的杂化方式为sp3杂化

B．NaAlH4晶体中，与AlHeq\o\al(－,4)紧邻且等距的Na＋有4个

C．NaAlH4晶体的密度为eq\f(1.08×1023,a3NA)g·cm－3

D．若NaAlH4晶胞上下面心处的Na＋被Li＋取代，得到的晶体的化学式为Na3Li(AlH4)4

【答案】B

【解析】AlHeq\o\al(－,4)中中心原子Al价层电子对数：4＋eq\f(1,2)(4－4×1)＝4，杂化轨道数为4，Al的杂化方式为sp3杂化，A正确；观察体心的AlHeq\o\al(－,4)，可以看出与AlHeq\o\al(－,4)紧邻且等距的Na＋有8个，B错误；Na＋个数为6×eq\f(1,2)＋4×eq\f(1,4)＝4，Na＋