半导体物理学全套课件.ppt

产生直接产生R-G中心产生载流子产生与碰撞电离平衡载流子满足费米－狄拉克统计分布过剩载流子不满足费米－狄拉克统计分布且公式不成立载流子的产生和复合：电子和空穴增加和消失的过程过剩载流子过剩载流子和电中性平衡时过剩载流子电中性：小注入条件小注入条件：注入的非平衡载流子浓度比平衡时的多数载流子浓度小的多N型材料P型材料小注入条件例：室温下一受到微扰的掺杂硅，判断其是否满足小注入条件？解：满足小注入条件！（）注：（1）即使在小注入的情况下，非平衡少数载流子浓度还是可以比平衡少数载流子浓度大的多（2）非平衡少数载流子起重要作用，非平衡载流子都指非平衡少数载流子非平衡载流子寿命假定光照产生和，如果光突然关闭，和将随时间逐渐衰减直至0，衰减的时间常数称为寿命，也常称为少数载流子寿命单位时间内非平衡载流子的复合概率非平衡载流子的复合率准费米能级当半导体的热平衡状态被打破时，新的热平衡状态可通过热跃迁实现，但导带和价带间的热跃迁较稀少导带和价带各自处于平衡态，因此存在导带费米能级和价带费米能级，称其为“准费米能级”复合直接复合间接复合Auger复合（禁带宽度小的半导体材料）（窄禁带半导体及高温情况下）（具有深能级杂质的半导体材料）速度饱和在低电场作用下，载流子在半导体中的平均漂移速度v与外加电场强度E呈线性关系；随着外加电场的不断增大，两者呈非线性关系，并最终平均漂移速度达到一饱和值，不随E变化。n-Ge:半导体物理学

SEMICONDUCTORPHYSICS练习1、载流子的热运动在半导体内会构成电流。（）2、载流子在外电场的作用下是（）和（）两种运动的叠加，因此电流密度大小（）。3、什么是散射Si的导带底附近E(k)~k关系是长轴沿100方向的6个旋转椭球等能面，而Ge的导带底则由4个长轴沿111方向的旋转椭球等能面构成。若令，那么对于Si、Ge晶体称μc为电导迁移率，mc称为电导有效质量。半导体中电导率与平均自由时间的关系为n型半导体p型半导体电阻率与掺杂的关系N型半导体P型半导体电阻率与温度的关系本征半导体本征半导体电阻率随温度增加而单调地下降杂质半导体（区别于金属）半导体物理学

SEMICONDUCTORPHYSICS简并时杂质未充分电离As在Ge和Si中的ΔED分别为0.0127eV和0.049eV，简并时Ec-EF=0，经计算得到室温下的离化率分别只有23.5%和7.1%，因此简并时杂质没有充分电离。尽管杂质电离不充分，但由于掺杂浓度很高，多子浓度还是可以很高的。因为简并半导体中的杂质浓度很高，杂质原子之间相距较近，相互作用不可忽略，杂质原子上的电子可能产生共有化运动，从而使杂质能级扩展为能带。杂质能带的出现将使杂质电离能减小，当杂质能带与半导体能带相连时，会形成新的简并能带，同时使状态密度产生变化。强电离区导带电子浓度n0＝ND，与温度几乎无关。上式中代入n0表达式，得到通过变形也可以得到一般n型半导体的EF位于Ei之上Ec之下的禁带中。EF既与温度有关，也与杂质浓度ND有关：一定温度下掺杂浓度越高，费米能级EF距导带底Ec越近；如果掺杂一定，温度越高EF距Ec越远，也就是越趋向Ei。下图是不同杂质浓度条件下Si中的EF与温度关系曲线。图3.1Si中不同掺杂浓度条件下费米能级与温度的关系n型半导体中电离施主浓度和总施主杂质浓度两者之比为将强电离区的式代入上式得到可见越小，杂质电离越多。所以掺杂浓度ND低