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摘要
摘要
红外探测器在国防军工、工业自动化、人工智能等领域具有极其重要的价值，
未来变革型红外探测器应具备高工作温度、高性能、低功耗、重量轻和价格低等
特征。然而，基于HgCdTe、InSb等材料的红外探测器焦平面阵列工作温度低、
高质量材料制备面临挑战。本论文针对上述问题，以单晶铅盐半导体作为研究方
向，探究了高质量单晶铅盐薄膜的批量制备方法。铅盐半导体（PbS、PbSe）具
有极低的俄歇复合率，
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