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半导体生产技术专业作业指导书
TOC\o1-2\h\u21480第1章半导体材料基础 4
248491.1半导体材料的特性 4
187261.1.1电阻率特性 4
321671.1.2能带结构 4
19421.1.3光电性质 4
272391.1.4热敏性质 5
69881.2常见半导体材料 5
110111.2.1硅（Si） 5
187801.2.2锗（Ge） 5
101781.2.3砷化镓（GaAs） 5
149591.2.4硅锗（SiGe） 5
108131.2.5碳化硅（SiC） 5
38381.3半导体材料的制备方法 5
2991.3.1提拉法（Czochralski法，简称CZ法） 5
211241.3.2区熔法（FloatZone法，简称FZ法） 5
28931.3.3化学气相沉积（ChemicalVaporDeposition，简称CVD） 5
115561.3.4分子束外延（MolecularBeamEpitaxy，简称MBE） 6
110021.3.5溶液法制备 6
28565第2章半导体器件原理 6
283852.1PN结原理 6
131372.1.1PN结的形成 6
250782.1.2PN结的特性 6
228732.2双极型晶体管 6
173172.2.1双极型晶体管的构成 6
174282.2.2双极型晶体管的工作原理 6
129912.3场效应晶体管 6
197202.3.1场效应晶体管的构成 6
268182.3.2场效应晶体管的工作原理 7
157462.3.3场效应晶体管的类型 7
20585第3章半导体器件制造工艺 7
24133.1光刻技术 7
229483.1.1光刻工艺概述 7
178913.1.2光刻工艺流程 7
159783.1.3光刻技术关键参数 7
248933.2蚀刻与清洗技术 7
181773.2.1蚀刻工艺概述 7
42683.2.2蚀刻工艺流程 8
209183.2.3清洗技术 8
183433.3化学气相沉积技术 8
166633.3.1化学气相沉积概述 8
285903.3.2化学气相沉积工艺流程 8
197523.3.3化学气相沉积技术分类 8
28603.4扩散与离子注入技术 8
223253.4.1扩散技术概述 8
11643.4.2扩散工艺流程 8
74603.4.3离子注入技术 9
12977第4章集成电路设计 9
206044.1数字集成电路设计 9
98424.1.1设计流程 9
303314.1.2设计要点 9
124994.2模拟集成电路设计 9
250634.2.1设计流程 9
204844.2.2设计要点 9
236944.3混合信号集成电路设计 10
249544.3.1设计流程 10
14174.3.2设计要点 10
10645第5章集成电路制造工艺 10
211755.1前道工艺 10
14575.1.1清洗与氧化 10
222945.1.2光刻 10
9225.1.3刻蚀 10
155885.1.4离子注入 11
127255.1.5化学气相沉积 11
65655.2中道工艺 11
218545.2.1中间清洗 11
131895.2.2中间光刻 11
249075.2.3中间刻蚀 11
191245.2.4中间离子注入 11
51115.2.5中间化学气相沉积 11
201375.3后道工艺 11
98155.3.1后道清洗 11
262215.3.2金属化 11
300725.3.3电镀 11
113635.3.4化学机械抛光 11
96435.3.5去胶与清洗 11
166805.3.6封装 12
298005.3.7测试 12
139395.3.8包装与交付 12
22045第6章集成电路封装与测试 12
67046.1封装技术 12
100996.1.1封装概述 12
274266.1.2封装类型 12
137886.1.3封装工艺 12
194026
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