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本科生毕业论文中期报告
SiCMOSFET器件的模拟与设计姓名：郭**班级：学号：导师:
1.选题背景2.前期完成情况3.后期方案进度4.存在问题及解决措施5.后期工作安排提纲
1.选题背景随着能源的日益紧张和电子电力行业的不断开展，在节能转换过程中，人们不断探索新型器件结构和材料，以满足电能转换在现实生活中的要求。几十年来，硅功率半导体器件经历了由双极晶体管，晶闸管，到MOSFET以及如今的绝缘栅场效应管〔IGBT〕的开展历程。虽然在这些开展期间取得了很大进步，但是由于硅的一些性能上的缺点使得进一步开展陷入困境。SiC材料属于第三代半导体材料出现于第一代半导体材(si)和第二代化合物材料GaAs、InP、GaP等之后。第三代半导体材料还包括、GaN(氮化镓)、A1N(氮化铝)、ZnSc(硒化锌)，以及金刚石薄膜等。
前期完成情况通过上网查找和书籍查阅毕业设计的相关资料，学习几种SiCMOSFET几个功率器件的工作原理，界面态对沟道迁移率的影响等初步知识。本论文现在已完成了摘要、英文摘要、关键词、英文关键词、目录、绪论以及论文框架根本内容。
后期进程安排在进一步熟悉相关课题知识的情况下，推导界面态对沟道迁移率的影响，以及迁移率计算(5月上旬〕掌握Silvaco软件的使用，进行模拟仿真〔5月中旬〕在前期的根底上，完成毕业论文，准备毕业辩论〔5月下旬~6月上旬〕
存在的主要问题1.对Silvaco软件还不能应用自如，需多加练习。2.本次设计中数据处理比较繁琐，容易出现错误。3.论文的格式还比较混乱，整体还缺乏连贯性。
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