微电子工艺基础光刻工艺.ppt

第8章光刻工艺

三、曝光显影阶段5、显影（3）显影方法（教材P165）②干法显影（等离子体显影，通常是氧）干法氧等离子体显影要求光刻胶化学物的曝光部分或未曝光部分二者之一易于被氧等离子体驱除，更确切的说，图案部分从表面氧化掉。后烘刻蚀光刻胶去除四、刻蚀、去胶阶段第8章光刻工艺1、后烘目的去除显影液和水分，使胶膜坚固使胶膜进一步聚合而提高胶膜抗刻蚀能力提高胶膜粘附性第8章光刻工艺

刻蚀去胶阶段与前烘方法大致相同。例如：采用对流炉的后烘温度是130度～200度，时间30分钟。1、后烘第8章光刻工艺

四、刻蚀去胶阶段（2）方法第8章光刻工艺

刻蚀去胶阶段刻蚀定义和目的把显影后的光刻胶微图形下层材料的裸露部分去掉，将光刻胶图形转移到下层材料上去的工艺叫作刻蚀。第8章光刻工艺

四、刻蚀去胶阶段2、刻蚀（2）刻蚀的要求①保真②最好是各向异性腐蚀，侧向腐蚀小③选择比高④均匀性好⑤清洁在胶膜掩蔽下，去除窗口薄膜物质（如SiO2，Al等）要求：第8章光刻工艺

刻蚀去胶阶段01刻蚀02刻蚀的要求03选择比的定义：04第8章光刻工艺

刻蚀去胶阶段刻蚀常见问题不完全刻蚀：刻蚀第8章光刻工艺

四、刻蚀去胶阶段2、刻蚀（3）刻蚀常见问题②过刻蚀和底切在从最外表面刻蚀到表层底部的过程中刻蚀也会在最外表面进行。结果会在侧边形成一个斜面，这种作用因在光刻胶边缘下被刻蚀，所以称为低切2、刻蚀第8章光刻工艺

四、刻蚀去胶阶段（3）刻蚀常见问题③各向同性刻蚀第8章光刻工艺

四、刻蚀去胶阶段2、刻蚀（4）刻蚀的分类参见教材图9.21刻蚀。湿法刻蚀类：①沉浸②喷射干法刻蚀类：①等离子体（桶形、平面）②离子轰击③反应离子刻蚀（RIE）第8章光刻工艺

四、刻蚀去胶阶段2、刻蚀（5）湿法刻蚀湿法刻蚀是化学腐蚀，在腐蚀液中通过化学反应去除窗口薄膜，得到薄膜图形。由于加工线条变细而使腐蚀效果差，因此湿法腐蚀用于特征图形尺寸大于3微米的产品，低于此水平时，使用干法刻蚀。第8章光刻工艺

四、刻蚀去胶阶段2、刻蚀（5）湿法刻蚀①特点A：湿法腐蚀的产物必须是气体或可溶于腐蚀液的物质。B：一般说来，反应总伴随着放热和放气。优点：A：工艺简单，无需复杂设备，选择比高；B：均匀性好缺点：A：各向同性腐蚀；B：分辨率低，自动化难第8章光刻工艺

二、光刻胶4、对准和曝光（4）曝光方法由于衍射极限的限制，在超大规模集成电路的生产上光学光刻已逐渐被电子束光刻，X-射线光刻等新技术代替。但是光学光刻在对分辨率要求不高的器件和电路上仍被普遍采用。第8章光刻工艺

二、光刻胶4、对准和曝光（4）曝光方法①光学曝光A：接触式（教材P156）接触式曝光需要人工在显微镜下观察和套准图形并使硅片与掩膜版紧贴，光刻精度受到光学和机械系统以及操作者的熟练程度的限制。第8章光刻工艺

二、光刻胶4、对准和曝光（4）曝光方法①光学曝光A：接触式（教材P156）缺点：接触会损坏掩膜版和较软的光刻胶层；掩膜版寿命低。接触式光刻机用于分立器件，低集成度和中度集成度的电路。接触式光刻机设备简单0170年代中期前使用02分辨率:有微米级的能力03掩膜版和硅片直接接触,掩膜版寿命短04接触式光刻机第8章光刻工艺

二、光刻胶4、对准和曝光（4）曝光方法①光学曝光B：接近式（教材P157）接近式光刻是分辨率和缺陷密度的权衡。它以牺牲分辨率来延长了掩膜版的寿命。只有采用高度平行的光束曝光来减少散射带来的影响。接近式光刻是接触式光刻机的自然演变。有时也称软接触式。接近式光刻机距硅片表面10微