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SiC肖特基势垒二极管学习PPT教案

contents目录引言SiC肖特基势垒二极管基本原理SiC肖特基势垒二极管制造工艺SiC肖特基势垒二极管性能评估

contents目录SiC肖特基势垒二极管应用领域SiC肖特基势垒二极管产业发展现状与趋势实验环节：SiC肖特基势垒二极管性能测试实验

01引言

第三代半导体材料的重要代表SiC（碳化硅）作为第三代半导体材料，具有优异的物理和化学性质，在电力电子、微波射频等领域具有广泛的应用前景。肖特基势垒二极管（SBD）是SiC器件中的一种重要类型，具有高频、高温、高压、低损耗等特性，对于提高电力电子系统的效率和可靠性具有重要意义。随着新能源汽车、光伏、5G等产业的快速发展，对高性能电力电子器件的需求不断增加。学习SiCSBD的制备技术、性能特点及应用前景，有助于推动SiC产业的发展。肖特基势垒二极管的重要性推动SiC产业发展背景与意义

掌握SiCSBD的基本结构和工作原理：了解SiCSBD的基本结构、肖特基势垒的形成机制以及载流子的传输过程。了解SiCSBD的性能特点和应用领域：掌握SiCSBD的电气性能、热性能以及可靠性等方面的特点，了解其在电力电子变换器、电机驱动、光伏逆变器等应用领域中的优势。培养分析和解决问题的能力：通过学习SiCSBD的相关知识，培养分析和解决实际问题的能力，为未来的学习和工作奠定基础。熟悉SiCSBD的制备工艺和关键技术：学习SiCSBD的制备工艺流程，包括衬底选择、外延生长、器件设计、金属化工艺等关键技术。学习目标与要求

课程时间共计8学时，每周2学时，共4周。教学内容包括SiCSBD的基本结构和工作原理、制备工艺和关键技术、性能特点和应用领域等方面的内容。教学方式采用讲授、讨论、案例分析等多种教学方式相结合的方法，引导学生积极参与课堂互动。课程考核采用平时成绩和期末考试成绩相结合的方式进行考核，其中平时成绩占40%，期末考试成绩占60%。平时成绩包括课堂表现、作业完成情况等方面；期末考试成绩采用闭卷考试形式进行。课程安排与计划

02SiC肖特基势垒二极管基本原理

肖特基势垒二极管概述肖特基势垒二极管（SchottkyBarrierDiode，SBD）是一种金属-半导体结二极管，具有快速开关速度、低正向压降和低反向漏电流等优点。与传统的PN结二极管相比，肖特基势垒二极管具有更低的正向导通电压和更快的开关速度，适用于高频、高速、低功耗等应用场合。

SiC是硅和碳的化合物，具有优异的物理和化学性质，如高禁带宽度、高击穿电场强度、高热导率、高电子饱和漂移速度等。与传统的硅材料相比，SiC具有更高的工作温度、更高的耐压能力和更低的导通电阻，使得SiC器件能够在高温、高压、高频等恶劣环境下稳定工作。SiC材料特性及优势

工作原理肖特基势垒二极管的工作原理是基于金属-半导体结的单向导电性。当正向偏置时，金属中的电子注入到半导体中，形成导电通道；反向偏置时，由于势垒的存在，电子不能从半导体注入到金属中，从而形成反向阻断。结构特点SiC肖特基势垒二极管的结构特点包括采用SiC材料作为基底、使用金属或半金属作为肖特基接触电极、通过优化电极材料和工艺参数来降低正向压降和反向漏电流等。此外，为了提高器件的耐压能力和降低导通电阻，还可以采用场板结构、多层结构等设计手段。工作原理与结构特点

03SiC肖特基势垒二极管制造工艺

晶圆制备选择高纯度SiC原料，通过物理气相传输（PVT）或化学气相沉积（CVD）等方法制备SiC单晶。外延生长在SiC单晶衬底上进行外延生长，以获得所需厚度的外延层。外延生长技术包括化学气相沉积（CVD）、分子束外延（MBE）等。晶圆制备与外延生长技术

VSSiC肖特基势垒二极管通常采用垂直结构，包括阳极、阴极和肖特基接触等部分。设计优化通过优化器件结构参数，如阳极和阴极间距、肖特基接触势垒高度等，以提高器件性能。同时，还可以采用场板结构、终端保护等设计，提高器件耐压和降低漏电流。器件结构器件结构设计及优化方法

晶圆清洗去除晶圆表面的污染物和氧化物，保证后续工艺的顺利进行。通过金属沉积和退火等工艺步骤，在SiC表面形成肖特基接触。选择合适的金属材料和退火条件对肖特基势垒高度和漏电流等性能有重要影响。通过金属沉积、光刻和刻蚀等工艺步骤，制作阳极和阴极图形，并完成金属化过程。采用场限环、浮空场板等终端保护结构，提高器件耐压能力并降低表面漏电流。将制作完成的晶圆划片成单个芯片，并进行封装以保护芯片并方便后续应用。封装形式可根据实际需求选择，如TO封装、模块封装等。肖特基接触形成终端保护划片与封装阳极和阴极制作关键工艺步骤详解

04SiC肖特基势垒二极管性能评估

正向电压测试在一定的正向电流下，测量SiC肖特基势垒二极管的正向压降，并与理论值进行比