2025年一种半导体引线框架制造工艺.pdfVIP

天将降大任于斯人也，必先苦其心志，劳其筋骨，饿其体肤，空乏其身，行拂乱其所为。——《孟子》

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利说明书

(10)申请公布CNA

202520252

(43)申请公2025.07.16

(21)CN202520252025.0

(22)申请日2014.04.28

(71)申请人四川金湾电子有限责任公司

地址629000四川省遂宁市经济开发区玉龙路微电子工业园88号

(72)发明人黄斌任俊

(74)专利代理机构成都天嘉专利事务所(普通合伙)

代理人方强

(51)Int.CI

权利要求说明书说明书幅图

(54)发明名称

一种半导体引线框架制造工艺

(57)摘要

本发明涉及一种半导体引线框架制

造工艺，包括冲压、表面处理和切断成

型，其特征在于：所述表面处理的具体工

艺步骤为：电解除油、水洗、酸活化、水

洗、镀镍、水洗、镀碱铜、水洗、镀酸

铜、水洗、预镀银、水洗、镀银、水洗、

退银、水洗、镀保护液、水洗和烘干。本

发明制造出来的半导体引线框架镀层附着

操千曲尔后晓声，观千剑尔后识器。——刘勰

力强，不易掉落，同时半导体引线框架不

会变形，出现尺寸超差，质量好，使用寿

命长。

法律状态

法律状态公告日法律状态信息法律状态

志不强者智不达，言不信者行不果。——墨翟

权利要求说明书

1.一种半导体引线框架制造工艺，包括冲压、表面处理和切断成型，其特征在于：

所述表面处理的具体工艺步骤为：电解除油、水洗、酸活化、水洗、镀镍、水洗、

镀碱铜、水洗、镀酸铜、水洗、预镀银、水洗、镀银、水洗、退银、水洗、镀保护

液、水洗和烘干。

2.根据权利要求1所述的一种半导体引线框架制造工艺，其特征在于：电解除油步

骤与酸活化步骤之间的水洗步骤为三级水洗，前两级水洗回流至电解除油步骤；酸

活化步骤与镀镍步骤之间的水洗步骤为四级水洗，前两级水洗回流至酸活化步骤；

镀镍步骤与镀碱铜步骤之间的水洗步骤为三级水洗，前两级水洗回流至镀镍步骤；

镀碱铜步骤与镀酸铜之间的水洗步骤为三级水洗，前两级水洗回流至镀碱铜步骤；

镀酸铜步骤与预镀银步骤之间的水洗步骤为三级水洗，前两级水洗回流至镀酸铜步

骤；预镀银步骤与镀银步骤之间的水洗步骤为三级水洗，前两级水洗回流至预镀银

步骤；镀银步骤与退银步骤之间的水洗步骤为三级水洗，三级水洗回流至镀银步骤；

退银步骤与镀保护液步骤之间的水洗步骤为三级水洗，前两级水洗回流至退银步骤；

镀保护液步骤与烘干步骤之间的水洗步骤为三级水洗，前两级水洗回流至镀保护液

步骤。

3.根据权利要求1或2所述的一种半导体引线框架制造工艺，其特征在于：电解除

油步骤加入的物质有碱性除油粉，酸活化步骤加入的物质有酸性活化剂，镀镍步骤

加入的物质有