实际晶体中位错的行为.pptVIP

tt双交滑移平面源单边F-R源机制，也叫L平面源AB是在滑移面上可动位错，BC不动位错，B点被固定。（111）位错源的开动受力分析若F-R源中AB长L,使AB弯曲的最小曲率半径r=L/2，对应临界应力为：01此结果与实际情况非常相符。02参考8.4.3位错的受力038.4位错的弹性性质8.4.3位错的受力2.位错的线张力Tdqtbdl外加应力t作用在位错dl上的力：TT线张力与F(t)相反方向产生F(T)：F(t)与F（T）平衡：则：位错的总应变能与位错的长度成正比，所以位错线有尽量缩短长度自动变直的趋势，好像有个张力，这个力就是位错的线张力，定义为：使位错线增长一定长度dl所作的功W，等于位错的应变能。r9实际晶体中位错的行为9.3全位错能量条件与滑移系统在简单立方结构中的位错，其b总是等于点阵矢量。实际晶体中根据柏氏矢量的不同，可把位错分为以下几种形式；b等于单位点阵矢量的称为“单位位错”。b等于单位点阵矢量的整数倍的为“全位错”b不等于单位点阵矢量或其整数倍的为“不全位错”或称“部分位错”FCC全位错原子排列示意图，图面为（111）面柏氏矢量可用数字及符号表示对fcc晶体，[110]是原子最密排的晶向，此