半导体制造工艺流程课件.pptVIP

*******************半导体制造工艺流程半导体制造是一个复杂而精细的过程,涉及多个关键步骤。从晶片制造到封装测试,每一个环节都对最终产品质量至关重要。让我们一起探讨半导体制造的整体工艺流程。课程目标了解半导体制造流程学习半导体从晶圆切割到封装测试的完整工艺流程,掌握各个关键制程的技术要点。熟悉工艺设备及材料深入了解半导体制造所需的各类先进制程设备和关键材料,了解其工作原理和使用要求。掌握质量管控方法学习半导体制造过程的洁净度控制、缺陷检测、良品率提升等质量管理技术。分析制造成本因素了解半导体制造成本的构成,分析产品良率、设备利用率等对成本的影响。半导体产业发展历程11940年代晶体管诞生,标志着半导体时代的开始21950-1960年代集成电路问世,半导体工业快速发展31970-1980年代微处理器出现,PC时代开启41990年代至今移动设备爆发,半导体广泛应用半导体产业经历了从单一晶体管到集成电路,再到微处理器和移动设备的长足发展。每个时期都有重要的技术突破,推动着半导体产业的快速进步,促进了信息技术的广泛应用。晶圆制造工艺概述半导体芯片制造是一个复杂的多步骤工艺流程。首先需要从硅晶体生长、切割研磨制成光洁的硅晶圆。然后通过一系列微纳米加工技术,如光刻、离子注入、薄膜沉积等,在晶圆表面建立集成电路的各种功能层。经过诸多精密工序后,最终制成成品芯片。每一步骤都需要严格的洁净环境控制和过程参数调控,确保产品质量。洁净室环境要求洁净度标准半导体制造需要极高的洁净度标准,以确保生产环境中的微粒、细菌和化学污染得到有效控制。这关乎产品的质量和良品率。温湿度控制洁净室内的温湿度必须严格控制在合适的范围内,以确保生产环境的稳定性和可重复性。温湿度的精准调控对工艺流程至关重要。正压条件洁净室必须维持正压条件,以防止外部空气进入和影响内部环境。这需要精密的气流控制和监测系统。晶圆切割和研磨1晶圆切割使用高精度切割机将硅晶块切割成圆形晶圆2晶圆研磨对切割后的晶圆进行双面研磨,提高表面光洁度3去应力处理采用特殊工艺放松内部应力,确保晶圆平整晶圆切割和研磨是半导体制造的重要前道工序。切割过程需要高精度机床和严格的环境控制,确保晶圆表面无损和尺寸精度。研磨工艺则进一步提升晶圆表面光洁度,为后续工艺奠定坚实基础。晶圆清洗1表面污染清除晶圆清洗是为了去除晶圆表面的各种有机和无机污染物,如尘埃、油脂、金属离子等,确保晶圆表面洁净无污染。2提高良品率通过严格的清洗工艺,可以最大限度地去除缺陷和杂质,从而提高晶圆的良品率,为后续制造工艺奠定基础。3预防缺陷形成晶圆清洗还可以预防一些缺陷的形成,如表面刮伤、金属污染等,确保设备和工艺的稳定性。热氧化膜生长清洁晶圆表面在热氧化前,需要通过化学清洗等方法彻底清洁晶圆表面,去除任何污染和自然氧化膜。加热至高温将清洁后的晶圆放入高温氧化炉,通常温度在800°C至1200°C之间。氧气反应生长膜层在高温环境下,晶圆表面的硅与氧气发生化学反应,形成二氧化硅薄膜。控制膜厚度通过调整反应时间和温度,可以精确控制所生长的二氧化硅膜的厚度。光刻工艺1光源选择选择合适的光源类型和波长2光刻胶涂覆均匀涂覆光敏感的光刻胶3掩膜板对准精准对准掩膜板与晶圆4光照曝光通过光照在光刻胶上成像5显影开发溶解曝光区域的光刻胶光刻工艺是半导体制造的关键步骤之一。它使用光源照射光刻胶,通过掩膜版图案选择性地曝光,形成所需的图案。经过多步显影、刻蚀等工序,将图案转移到晶圆表面,为后续制程奠定基础。光刻工艺的精度和重复性对最终器件性能至关重要。离子注入高能离子加速利用高电压加速离子,使其以高速撞击到衬底晶圆表面。离子注入掺杂离子注入可以有效地将不同种类的杂质原子(如砷、磷、硼等)引入半导体材料中。晶格损坏修复随后需要进行热处理,以使晶格恢复有序并激活杂质。精确控制浓度通过控制注入能量和剂量,可以精准调节掺杂浓度分布。薄膜沉积1物理气相沉积通过蒸发或溅射的方式将金属或其他材料沉积在基板表面形成薄膜。可精细控制膜层厚度和成分。2化学气相沉积利用气态反应前驱体在表面发生化学反应沉积形成薄膜。可控制膜层组成和特性。较物理沉积更复杂。3等离子体辅助沉积通过等离子体激发反应物质，以更低温度实现沉积。能提高膜层质量和性能。金属化1薄膜沉积利用物理气相沉积(PVD)或化学气相沉积(CVD)技术沉积金属薄膜2光刻在金属薄膜上进行图案化光刻3腐蚀通过湿式或干式腐蚀去除多余的金属薄膜4检查检查金属配线的