2025年半导体工艺流程.pdfVIP

非淡泊无以明志，非宁静无以致远。——诸葛亮

半导体工艺流程

1、清洗

集成电路芯片生产的清洗包括硅片的清洗和工器具的清洗。由于半导

体生产污染要求非常严格，清洗工艺需要消耗大量的高纯水；且为进行特

殊过滤和纯化广泛使用化学试剂和有机溶剂。

在硅片的加工工艺中，硅片先按各自的要求放入各种药液槽进行表面

化学处理，再送入清洗槽，将其表面粘附的药液清洗干净后进入下一道工

序。常用的清洗方式是将硅片沉浸在液体槽内或使用液体喷雾清洗，同时

为有更好的清洗效果，通常使用超声波激励和擦片措施，一般在有机溶剂

清洗后立即采用无机酸将其氧化去除，最后用超纯水进行清洗，如图1－

6所示。药液槽药液超纯水清洗槽超纯水超纯水废药液清洗排水1清洗排

水2清洗排水3清洗水回收系统废水处理系统废液收集系统

图1－6硅片清洗工艺示意图

工具的清洗基本采用硅片清洗同样的方法。2、热氧化

热氧化是在800~1250℃高温的氧气氛围和惰性携带气体（N2）下使

硅片表面的硅氧化生成二氧化硅膜的过程，产生的二氧化硅用以作为扩散、

离子注入的阻挡层，或介质隔离层。典型的热氧化化学反应为：

Si+O2→SiO2

3、扩散

扩散是在硅表面掺入纯杂质原子的过程。通常是使用乙硼烷（B2H6）

作为N－源和磷烷（PH3）作为P+源。工艺生产过程中通常分为沉积源和

驱赶两步，典型的化学反应为：

古之立大事者，不惟有超世之才，亦必有坚忍不拔之志。——苏轼

2PH3→2P+3H2

阻挡层

4、离子注入

掺杂区P/N-Si片P/N-Si片离子注入也是一种给硅片掺杂的过程。它

的基本原理是把掺杂物质（原子）离子化后，在数千到数百万伏特电压的

电场下得到加速，以较高的能量注入到硅片表面或其它薄膜中。经高温退

火后，注入离子活化，起施主或受主的作用。5、光刻

光刻包括涂胶、曝光、显影等过程。涂胶是通过硅片高速旋转在硅片

表面均匀涂上光刻胶的过程；曝光是使用光刻机，并透过光掩膜版对涂胶

的硅片进行光照，使部分光刻胶得到光照，另外，部分光刻胶得不到光照，

从而改变光刻胶性质；显影是对曝光后的光刻胶进行去除，由于光照后的

光刻胶和未被光照的光刻胶将分别溶于显影液和不溶于显影液，这样就使

光刻胶上形成了沟槽。

显影后基片曝光后基片基片

光刻胶涂胶后基片

6、湿法腐蚀和等离子刻蚀

通过光刻显影后，光刻胶下面的材料要被选择性地去除，使用的

方法就是湿法腐蚀或干法刻蚀。湿法腐蚀或干法刻蚀后，要去除上面

的光刻胶。

湿法腐蚀是通过化学反应的方法对基材腐蚀的过程，去除不同的物质

使用不同的材料。对不同的对象，典型使用的腐蚀材料为：

乐民之乐者，民亦乐其乐；忧民之忧者，民亦忧其忧。——《孟子》

腐蚀硅(Si)——使用氢氟酸加硝酸（HF+HNO3）腐蚀二氧化硅

(SiO2)——使用氢氟酸（HF）腐蚀氮化硅(Si3N4)——使用热磷酸（热

H3PO4）

干法刻蚀是在等离子气氛中选择性腐蚀基材的过程，刻蚀气氛通常含

有F等离子体或碳等离子体，因此刻蚀气体通常使用CF4类的气体。

7、化学气相沉积（CVD）

CVD被使用来在硅片上沉积氧化硅、氮化硅和多晶硅等半导体器件材

料，是在300~900℃的温度下通过化学反应产生以上物质的过程。典型的

化学反应为：

～450℃

SiH4+O2400→SiO2+2H2O

生长过程中掺磷时加磷烷的反应为：

4PH3+5O2→2P2O5+6H2SiH2Cl2+2N2O→SiO