碳化硅行业专题：第三代半导体明日之星，“上车+追光”跑出发展加速度(202305).pdfVIP

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碳化硅行业专题

第三代半导体明日之星，“上车+追光”跑出发展加速度

相关行业：电气设备

2023.05.06

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摘要：

第三代半导体材料是以碳化硅、氮化镓为代表的宽禁带半导体材料。以碳化硅为衬底制

成的功率器件相比硅基功率器件，具有耐高压、耐高温、能量损耗低、功率密度高等优

势，可实现功率模块小型化、轻量化。主要应用于新能源汽车/充电桩、光伏发电、智能

电网、轨道交通、航空航天等领域。

凭借性能优势碳化硅功率器件有望迎来快速发展。2021年全球第三代功率半导体市场

渗透率约为4.6%-7.3%，较2020年渗透率提升约2%。根据Yole数据，2021年全球

碳化硅功率器件市场规模约为10.90亿美元，2027年全球导电型碳化硅功率器件市场

空间有望突破至62.97亿美元，六年年均复合增速约为34%。

碳化硅器件“上车”加快，800V高压平台蓄势待发。功率器件主要应用于新能源车的

主驱逆变器、车载充电机、DC/DC转换器和非车载充电桩等关键电驱电控部件。尽管

SiCMOSFET价格相比于SiIGBT价格仍然较高，但碳化硅功率器件在耐压等级、开关

损耗和耐高温性方面具备明显优势。新能源汽车已成为碳化硅功率器件最主要的市场。

在目前各大主流车厂积极布局800V电压平台的背景下，碳化硅的性价比突出，市场前

景广阔。配套的直流充电桩市场将进一步加速碳化硅需求增长。

碳化硅“追光”，拓展光伏储能新应用场景。碳化硅功率模块可使逆变器转换效率提升至

99%以上，能量损耗降低30%以上，同时具备缩小系统体积、增加功率密度、延长器件

使用寿命、降低系统散热要求等优势。根据CASA数据，2021年中国光伏领域第三代

功率半导体的渗透率超过13%，市场规模约4.78亿元，预计2026年光伏用第三代半

导体市场空间将接近20亿元，五年CAGR超过30%。另外，随着可再生能源发电占比

提高以及智能电网的应用，储能系统与电力电子变压器进一步拓宽了碳化硅的市场。

风险提示：国产替代不及预期；800V技术渗透不及预期；成本下降不及预期；行业竞

争加剧。

请务必阅读正文之后的免责条款部分

目录

1.碳化硅——第三代半导体的明日之星3

2.碳化硅器件“上车”加快，800V高压平台蓄势待发9

3.碳化硅“追光”，拓展光伏储能新应用场景16

4.风险提示19

请务必阅读正文之后的免责条款部分2of20

1.碳化硅——第三代半导体的明日之星

根据研究和规模化应用的时间先后顺序，业内将半导体材料划分为三代。

常见的半导体材料包括硅（Si）、锗（Ge）、砷化镓（GaAs）、碳化硅（SiC）、

氮化镓（GaN）等材料，

第一代半导体材料以硅和锗等元素半导体为代表。第一代半导体主要应

用于低压、低频、低功率的晶体管和探测器中，被广泛应用于集成电路。

硅基半导体材料是目前产量最大、应用最广的半导体材料，市场占比达

到90%以上。

第二代半导体材料以砷化镓为代表。相较硅材料它具有直接带隙，电子

迁移率是硅的6倍，因此具有高频、高速的光电性能，被广泛应用于光

电子和微电子领域。砷化镓是制作半导体发光二极管和通信器件的关键