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太阳能电池的基本原理

光-电直接转化是目前将太阳能转化为电能的最佳途径,它是将太阳辐射的光能直接转化为电能,实现这种转化的装置称为太阳能电池。太阳能电池具有清洁性和灵活性等优点,它可大到百万千瓦的中型电站,也可小到只供一家之需的电池组,这是其他电源很难做到的。本文举例介绍两类太阳能电池的基本结构及原理：无机硅太阳能电池和有机聚合物双层异质结太阳能电池。

一、硅太阳能电池

硅太阳能电池的基本结构如图1所示，它的核心结构是N型硅/P型硅构成的活性层。通过特殊工艺向硅晶体中掺入少量的三价硼(一般107个原子·cm-3～1019个原子·cm-3)就可以构成P(positive)型硅。未掺杂的硅晶体中，每个硅原子通过共价键与周围4个硅原子相连。掺入少量硼后，硼原子取代某些硅原子的位置，并且在这些硅原子的位置上也与周围4个硅原子形成共价键。因为硼原子只有3个价电子，与周围4个硅原子成键时缺少1个电子，它需要从硅晶体中获取1个电子才能形成稳定结构。结果，硼原子变成负离子，硅晶体中形成空穴(空穴带一个单位的正电荷)。如果向硅晶体中掺入少量五价磷或者砷就构成了N(negative)型硅，例如掺入磷(107个原子·cm-3～1019个原子·cm-3)。掺入的磷原子同样取代硅原子的位置，并与周围的4个硅原子形成共价键。因为磷原子有5个价电子，成键后剩下1个价电子，这个电子受到的束缚力比共价键上的电子小得多，很容易脱离磷原子，成为自由电子，结果该磷原子成为正离子。需要说明的是，P型和N型硅都是电中性的。

当把P型硅与N型硅通过一定方式结合在一起时，发生如图2所示的PN结形成过程。在N区(N型硅一侧)与P区(P型硅一侧)的交界面附近，N区的自由电子较多空穴较少，P区则是空穴较多自由电子较少，这样在P区和N区之间出现空穴和自由电子的浓度差。浓度差导致空穴从P区向N区扩散，自由电子从N区向P区扩散，二者在界面附近复合。P区界面附近带正电荷的空穴离开后，留下带负电荷的硼，因此形成1个负电荷区。同理，在N区界面附近出现1个正电荷区。通常把交界面附近的这种正、负电荷区域叫做空间电荷区。空间电荷区中的正、负电荷产生1个由N区指向P区的内建电场。在内建电场的作用下，空穴和电子发生漂移，方向与它们各自的扩散方向相反，即电子从P区漂移到N区，空穴从N区漂移到P区。显然，内建电场同时又起着阻碍电子和空穴继续扩散的作用。随着扩散的进行，空间电荷逐渐增多，内建电场逐渐增强，空穴和电子的漂移也逐渐增强，但空穴和电子的扩散却逐渐变弱。无外界影响时，空穴和电子的扩散和漂移最终达到动态平衡。此时，空间电荷的数量一定，空间电荷区不再扩展，内建电场的大小就确定下来。

当具有一定能量的光子入射到PN结表面时，光子在硅表面及体内激发产生大量的电子-空穴对。由于入射光的强度因材料的吸收而不断衰减，因而沿着光照方向，材料内部电子-空穴对的浓度逐渐降低，这导致电子–空穴对向内部扩散。当电子-空穴对扩散到PN结边界时，在内建电场的作用下，空穴、电子被分别拉向P区和N区，电子-空穴对被分离。空穴在P区积累，电子在N区积累，结果产生一个与内建电场方向相反的光生电场，在P区和N区之间形成与PN结电势反向的光生电势，这就是著名的光生伏特效应。该效应使PN结内部形成自N区向P区的光生电流(如图3所示)，当PN结与外电路接通，只要光照不停止，就会有电流源源不断地通过电路。

二、有机聚合物双层异质结太阳能电池

有机聚合物太阳能电池具有多种结构类型,但都呈夹心式,基本结构如图4所示。电池的顶部一般为透明的玻璃基底,上面镀有可透光的金属薄层作为前电极,一般为铟锡氧化物(ITO)。与前电极接触的是有机半导体层,它连接一层不透明的金属作为背电极。当外部负载通过金属导线与两个电极相连时,就形成一个太阳能电池,它的光伏效应区是有机半导体层。按照有机半导体层的结构,有机聚合物太阳能电池可以划分为三大类,即单层结构(单一有机或共轭聚合物材料)、双层异质结结构和体异质结结构。

对于聚合物双层异质结太阳能电池,其有机半导体双层由共轭聚合物(电子给体,类似于P型硅)和富勒烯或其衍生物(电子受体,类似于N型硅)构成,厚度常为100～200nm。常见的电子给体有聚噻吩、聚对苯乙烯撑及其衍生物,其中P3HT(聚3-己基噻吩)在目前应用最为普遍。常见的电子受体是PCBM,它是C60的一种可溶性衍生物。这两种物质的结构示于图5。通常,ITO电极和有机半导体层之间还夹一层透明导电聚合物修饰层,厚度为30～60nm,以提高电池的性能。

当光透过ITO电极照射到有机半导体层上时,层中的电子给体P3HT吸收光子,发生如图6所示的过程。在光子的激发下,P3HT最高占据轨道上的价电子跃迁到最低空轨道上,最高占据轨道留下空穴,形成电子–空穴对。由于电子给体