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场效应管放大电路的静态分析场效应管的直流偏置电路
在分析放大电路时，应遵循“先静态，后动态”的原则，首先利用直流通路求解静态工作点时，再利用交流通路求解动态参数。求解静态工作点的方法：解析法和图解法。
放大状态下的直流偏置电路①保证场效应管工作在恒流区；②偏置下的工作点在环境温度变化时，应力求保持稳定，应始终保持在恒流区。
常用的有两种偏置电路：RDUDDRS(自偏压电阻)uiRGV自给偏压式：特点是刚开始工作时，栅源偏置电压UGS=0。适合JFET和D-MOSFET。电路本身存在负反馈机制，保持电路Q点的恒定。若IDQ↑UGSQ(=UGQ-USQ)负向↑→USQ(=IDQRS)↑↓→IDQ↓
RDUDDRS(自偏压电阻)uiRG2(b)RG1(分压式偏置)混合偏置方式：分压式偏置。三种场效应管都适合。对于增强型MOSFET，只能采用混合偏置方式。常用的有两种偏置电路：
RG1RG2RG3RDRS20V10k解：画直流通路。例：设uGSoff=-5V，IDSS=1mA，试估算电路在恒流区的静态工作点。
根据输入回路，列方程：因为iG=0，所以：例：设uGSoff=-5V，IDSS=1mA，试估算电路在恒流区的静态工作点。RG1RG2RG3RDRS20V
输入回路满足：同时在JFET满足：例：设uGSoff=-5V，IDSS=1mA，试估算电路在恒流区的静态工作点。RG1RG2RG3RDRS20V
联立上述两方程，得到：ID1=0.61mA，ID2=1.64mA得到UGS1=-1.1V，UGS2=-11.4V——（1）——（2）因为UGS2UGSoff=-5V，所以ID2舍去。例：设uGSoff=-5V，IDSS=1mA，试估算电路在恒流区的静态工作点。
则：UDSQ=20-0.61×(10+10)=7.8V。因此：IDQ=0.61mAUGSQ=-1.1V解析法：由电流方程和栅源直流负载线方程联立成方程组求解，即可得工作点。RG1RG2RG3RDRS10k20V
RDUDDRSuiRGV(a)问题：对于自偏压式，如何联立方程？
RDUDDRS(自偏压电阻)uiRG2(b)RG1(分压式偏置)问题：管子换成E-NMOSFET，如何联立方程？
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