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静电场的边值问题.pptVIP

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?q对于半无限大导体平面形成的劈形边界也可应用镜像法。但是仅当这种导体劈的夹角等于?的整数分之一时,才可求出其镜像电荷。为了保证这种劈形边界的电位为零,必须引入几个镜像电荷。例如,夹角为的导电劈需引入5个镜像电荷。???/3??????/3q连续分布的线电荷位于无限大的导体平面附近时,根据叠加原理得知,同样可以应用镜像法求解。fqo(2)点电荷与导体球面。Padrq?若导体球接地,导体球的电位为零。为了等效导体球边界的影响,令镜像点电荷q位于球心与点电荷q的连线上。那么,球面上任一点电位为为了确定q?和d,则有另外,比值对球面上任一点必须具有同一数值。因此,由此获知镜像电荷的大小*镜像电荷离球心的距离d应为这样,球外空间任一点的电位为fqOPadrq?在球坐标系下考虑,球心为原点,z轴与oq重合,则可求得球外任一点的电场强度同样的,总的感应电荷等于镜像电荷。若导体球不接地,则位于点电荷一侧的导体球表面上的感应电荷为负值,而另一侧表面上的感应电荷为正值。导体球表面上总的感应电荷应为零值。因此,对于不接地的导体球,若引入上述的镜像电荷q后,为了满足电荷守恒原理,必须再引入一个镜像电荷q,且必须令显然,为了保证球面边界是一个等位面,镜像电荷q“必须位于球心。事实上,由于导体球不接地,因此,其电位不等零。由q及q‘在球面边界上形成的电位为零,因此必须引入第二个镜像电荷q“以提供一定的电位。球外空间任意点的电位由这三个电荷共同决定。*?l(3)无限长线电荷与无限长带电的导体圆柱面。Pafdr-?lO在圆柱轴线与线电荷之间,离轴线的距离d处,平行放置一根镜像线电荷。已知无限长线电荷产生的电场强度为以圆柱表面为电位参考点,则柱外任意点的电位表示为对于柱面上任意一点P(a,?),有由边界条件,可求得柱外任意点的电位为(4)点电荷与无限大的介质平面。E?1?1?qr0EEtEnq?2?2?qE?1?2qeten=+为了求解上半空间的场可用镜像电荷q等效边界上束缚电荷的作用,将整个空间变为介电常数为?1的均匀空间。对于下半空间,可用位于原点电荷处的q等效原来的点电荷q与边界上束缚电荷的共同作用,将整个空间变为介电常数为?2的均匀空间。但是,必须迫使所求得的场符合原先的边界条件,即电场切向分量保持连续,电位移的法向分量应该相等,即已知各个点电荷产生的电场强度分别为代入上述边界条件,求得镜像电荷如下:镜像法依据:惟一性定理实质:用镜像电荷代替感应电荷的作用要点:①镜像电荷在求解区域之外②引入镜像电荷后,非均匀空间变成了无限大的均匀空间关键:确定镜像电荷的大小和位置例3-3-1已知同轴线的内导体半径为a,电位为U,外导体接地,其内半径为b。试求内外导体之间的电位分布函数以及电场强度。解对于这种边值问题,镜像法不适用,只好求解电位方程。为此,选用圆柱坐标系。由于场量仅与坐标r有关,因此,电位所满足的拉普拉斯方程在圆柱坐标系中的展开式只剩下包含变量r的一项,即电位微分方程为求得VbaO利用边界条件:*求得最后求得从以上求解静电场边值问题的方法来看,镜像法求解方便,但有局限性。对于同轴线的静电场边值问题的求解。其电位函数仅与一个坐标变量r有关,也就是说,原先的三维拉普拉斯方程简化为一维微分方程,因而可采用直接积分方法求解这类边值问题。但一般说来,静电场的边值问题与空间三个坐标变量有关。为了求解三维拉普拉斯方程,一种有效的方法就是分离变量法。分离变量法是将原先的三维偏微分方程通过变量分离简化为三个独立的常微分方程,从而使求解过程比较简便。应用分离变量法,关键的问题是选择适当的坐标系。3-4直角坐标系中的分离变量法*无源区中电位满足的拉普拉斯方程在直角坐标系中的展开式为令代入上式,两边再除以X(x)Y(y)Z(z),得显然,式中各项仅与一个变量有关。因此,上式若成立,各项必分别等于一个常数,而三个常数之和为0,即各项分别设为,可以写出下三个方程。*式中kx,ky,kz称为分离常数,它们可以是实数或虚数。显然,三个分离常数并不是独立的,它们必须满足下列方程由上可

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