集成电路常用器件版图.ppt

1集成电路中普遍存在二极管。2psub-nwell二极管：P型衬底和N阱之间存在二极管。为了保证所有的二极管反偏，需要将衬底接低电位，N阱接高电位。3Sp-nwell二极管：N阱和N阱中的P+扩散区形成的二极管。5.4二极管版图1利用二极管的反向击穿效应，可以用来做芯片的ESD（Elctro-StaticDischarge，静电释放）保护。2二极管的反向击穿电压一般在6~8V，因此当使用ESD时，下一级的最大电压也被嵌位在反向击穿电压。3图7.26：梳状二极管。4用作ESD的二极管的面积较大，且画成环形结构。5.4二极管版图保护环（guardring）是有N+型的接触孔或P+型的接触孔转成环状，将所包围的器件与环外的器件隔离开来，所以叫做保护环。保护环的作用：隔离噪声，保护敏感电路不受外界干扰；防止闩锁效应。5.5保护环版图123隔离噪声模拟电路的噪声一般来自衬底，噪声源会对敏感电路造成影响。图7.27：通过P+接触孔吸收来自衬底的噪声。1235.5保护环版图防止闩锁效应01闩锁效应是由CMOS工艺中的计生效应引起的，对电路可靠性非常重要，一旦发生闩锁，不仅电路无法正常工作，还会因大电流引起芯片过热，造成物理破坏。02图7.29：寄生效应电路。03图7.30：多数载流子保护环，吸收外来的多数载流子，避免寄生三极管的发射极被正偏。045.5保护环版图1焊盘（pad）集成电路与外接环境之间的接口。2除了压焊块之外，焊盘还具有输入保护、内外隔离、对外驱动等接口功能。4图7.31，7.323通常由最上层两层金属重叠而成。5.6焊盘版图I/0PAD输入输出单元（补充）承担输入、输出信号接口的I/O单元就不仅仅是压焊块，而是具有一定功能的功能块。这些功能块担负着对外的驱动，内外的隔离、输入保护或其他接口功能。这些单元的一个共同之处是都有压焊块，用于连接芯片与封装管座。为防止在后道划片工艺中损伤芯片，通常要求I/OPAD的外边界距划片位置100μm左右。I/0PAD输入输出单元（补充）任何一种设计技术的版图结构都需要焊盘输入/输出单元（I/OPAD）。不论门阵列、标准单元结构还是积木块结构，它们的I/OPAD都是以标准单元的结构形式出现，这些I/OPAD通常具有等高不等宽的外部形状，各单元的电源、地线的宽度和相对位置是统一的。输入单元输入单元主要承担对内部电路的保护，一般认为外部信号的驱动能力足够大，输入单元不必具备再驱动功能。因此，输入单元的结构主要是输入保护电路。输入单元版图双二极管、电阻电路单二极管、电阻电路集成电路版图设计与验证第六章集成电路常用器件版图01大尺寸MOS版图布局03单管布局：栅很长，寄生电阻增加，导致晶体管各个位置的导通不同步。02大宽长比的晶体管：获得大的驱动能力。04指状交叉（finger）方式5.1MOS器件常见版图画法将与非门设计成指状构造示例倒比管版图布局管子的宽长比小于1利用倒比管沟道较长，电阻较大的特点，可以起到上拉电阻的作用。应用：开机清零电路。5.1MOS器件常见版图画法0102030405MOS器件的对称性对称意味着匹配，是模拟集成电路版图布局重要技巧之一。包括器件对称、布局连线对称等。匹配器件相互靠近放置：减小工艺过程对器件的差异。匹配器件同方向性：不同方向的MOS管在同一应力下载流子迁移率不同。5.1MOS器件常见版图画法5.1MOS器件常见版图画法匹配器件与周围环境一致：虚设器件，避免刻蚀程度的不同。匹配器件使用同一单元：根器件法0102对于不同比例尺寸的MOS管，尽量使用同一单元进行复制组合，这样，加工的适配几率就会减小。5.1MOS器件常见版图画法匹配器件共中心性：又称为四方交叉01在运算放大器的输入差分对中，两管的宽长比都比较大。02采用四方交叉的布局方法，使两个管子在X轴上产生的工艺梯度影响和Y轴上的工艺梯度影响都会相互抵消。03将M1和M2分别分成两个宽度为原来宽度一半的MOS管，沿对角线放置后并联。045.1MOS器件常见版图画法MOS器件常见版图画法23145薄膜电阻：多晶硅薄膜电阻和合金薄膜电阻掺杂半导体电阻：扩散电阻和例子注入电阻有源电阻：利用晶体管的不同工作区表现出来的不同电阻特性来做电阻。电阻的分类无源电阻：采用对半导体进行掺杂的方式制作的电阻。（本次课只介绍无源电阻）5.2电阻常见版图画法采用离子注入方式对半导体掺杂而得到的电阻。02多晶硅薄膜电阻04离子注入电阻01可以精确