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自旋轨道矩驱动垂直磁化异质结磁矩翻转和磁畴壁运动

的研究

自旋轨道矩驱动垂直磁化异质结磁矩翻转和磁畴壁运动的

研究

近年来，磁存储技术的不断发展为信息时代的进步提供了

重要的支持。磁存储器件中常使用的磁材料在其微观结构中具

有多个自旋磁矩，这些磁矩可通过外部磁场或电流作用来改变

其磁化方向。然而，传统的磁矩翻转方法存在能量损耗大、速

度慢等问题，在追求更高速度、更低功耗的磁存储技术中需要

寻找新的解决方案。

自旋轨道矩（spin-orbittorque，SOT）是一种新型的磁

矩操控方法，其通过自旋轨道耦合效应（spin-orbit

coupling，SOC）将电流的自旋与磁矩耦合，从而实现垂直磁

化异质结磁矩的翻转。相比传统的磁矩操控方法，SOT具有翻

转速度快、能耗低的优点，因此引起了广泛关注。

SOT磁矩翻转机制主要包括两种：自旋荷和自旋霍尔效应。

自旋荷效应是指电流自旋极化引起的离子动量转移，进而改变

磁矩方向。自旋霍尔效应则是指自旋极化电流在异质结中产生

的自旋轨道耦合效应，从而产生自旋轨道矩作用于磁矩上。这

两种效应在磁矩翻转中起到了关键作用。

研究表明，SOT对垂直磁化异质结磁矩的操控不仅可以实

现翻转，还可以促进磁畴壁运动。磁畴壁是磁材料内部不同磁

畴之间的边界，其中磁矩的方向有着连续变化。磁畴壁的运动

对磁存储器件的读写速度有着重要影响。利用SOT可以通过电

流的自旋极化效应来操控磁畴壁的移动，从而实现磁器件的高

速写入和读取。

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为了更好地理解和应用SOT磁矩翻转和磁畴壁运动效应，

许多研究工作进行了深入探索。例如，研究人员通过调节材料

的结构和组分，改变自旋轨道耦合效应强度，进一步优化磁矩

翻转效率。同时，通过制备具有一定晶格结构的材料，可以调

控自旋晶格耦合效应，进一步增强自旋轨道矩对磁矩的作用。

此外，研究人员还着重研究了SOT磁畴壁运动效应的机制。

他们提出了许多磁畴壁运动模型，如耦合模型和动力学模型，

通过探究磁畴壁与自旋轨道矩之间的相互作用，揭示了磁畴壁

运动的基本原理。这些研究为进一步提高磁畴壁运动的速度和

控制性能提供了理论指导。

总之，自旋轨道矩驱动垂直磁化异质结磁矩翻转和磁畴壁

运动的研究是当今磁存储技术领域的热点之一。通过深入探索

SOT磁矩翻转机制和磁畴壁运动效应的基本原理，可以为磁存

储器件的高速、低功耗应用提供重要技术支持。随着相关研究

的不断推进，相信SOT磁矩翻转和磁畴壁运动将成为磁存储技

术发展的重要驱动力

综上所述，SOT磁矩翻转和磁畴壁运动是磁存储技术领域

的热点研究方向。通过调节材料的结构和组分，优化自旋轨道

耦合效应以及自旋晶格耦合效应，可以提高磁矩翻转效率和控

制性能。此外，研究人员还通过提出耦合模型和动力学模型，

揭示了磁畴壁运动的基本原理，为磁存储器件的高速写入和读

取提供了理论指导。在未来的研究中，SOT磁矩翻转和磁畴壁

运动将继续推动磁存储技术的发展，为高速、低功耗的磁存储

器件应用提供重要的技术支持

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