晶体学基础第六章.ppt

（4）居里-乌尔夫原理：（考虑生长环境的影响） 居里原理：在平衡条件下，发生液相与固相之间的转变时，晶体调整其形态使总表面能为最小。 乌尔夫：晶面的生长速度与其比表面能成正比关系。 当外界温度和晶体体积不变时，低密勒指数晶面的原子面密度大，晶面的比表面能低。第29页,共32页，星期六，2024年，5月（5）周期键链（PBC）理论： 哈特曼(P．Hartman)和珀多克(N．G．Perdok)等(1955)从晶体结构的几何特点和质点能量两方面来探讨晶面的生长发育。 在晶体结构中存在着一系列周期性重复的强键链，其重复特征与晶体中质点的周期性重复相一致，这样的强键链称为周期键链(Periodicbondchain简写为PBC)。晶体平行键链生长，键力最强的方向生长最快。第30页,共32页，星期六，2024年，5月PBC理论将晶体生长过程中所能出现的晶面划为三种类型：F面：或称平坦面，有两个以上的PBC与之平行，面密度最大，质点结合到F面上去时，只形成一个强键，晶面生长速度慢，易形成晶体的主要晶面。S面：或称阶梯面，只有一个PBC与之平行，面密度中等，质点结合到S面上去时，形成的强键至少比F面多一个，晶面生长速度中等。K面：或称扭折面，不平行任何PBC，面密度小，扭折处的法线方向与PBC一致，质点极易从扭折处进入晶格，晶面生长速度快，是易消失的晶面。第31页,共32页，星期六，2024年，5月6.5影响晶体生长的外部因素影响晶体形态的因素：内因：组成、结构外因：生长方式、热力学条件等影响晶体生长的外部因素：（晶体形态或形貌、结晶度） 原料组成： 温度：影响不同晶面的相对生长速度，甚至是物相流场：搅拌方式，影响传质、传热 杂质：改变晶面的表面能，从而改变其生生长速度 也可改变成核速度 粘度：影响传质 压强：总压、分压第32页,共32页，星期六，2024年，5月6.1晶体的缺陷晶体的缺陷：在晶体结构中局部范围内，质点的排列偏离了晶体周期性结构的现象。晶体缺陷的分类：点缺陷：空位、间隙原子、杂质、错位线缺陷：位错、点缺陷链面缺陷：堆垛层错、晶界、相界、平移界面体缺陷：沉淀、空洞、包藏杂质 第2页,共32页，星期六，2024年，5月一、点缺陷：（1）按位置与化学组成分类： 空位： 间隙原子; 杂质原子：替位杂质，间隙杂质 错位原子：存在于化合物中（2）按形成原因分类： 热缺陷：弗兰克缺陷，肖特基缺陷，肖特基反型缺陷动态平衡，浓度与温度有关，本征缺陷 （非化学计量结构缺陷：组成偏离化学计量比） 杂质缺陷：会造成晶格畸变，总价失衡色心：能吸收某些光波而使晶体显色的点缺陷。(电子跃迁)第3页,共32页，星期六，2024年，5月第4页,共32页，星期六，2024年，5月二、线缺陷： 位错，缺陷链 晶体滑移机制与位错模型1.滑移机制一般情况下，滑移总是沿着原子最密集的方向进行，滑移面是原子面密度最大的晶面。fcc结构，滑移沿着{111}晶面上的110方向进行。第5页,共32页，星期六，2024年，5月若所有原子同时移动，则实际上滑移所需应力远小于理论计算值第6页,共32页，星期六，2024年，5月位错——晶体中已滑移区和未滑移区的交界线2.位错模型第7页,共32页，星期六，2024年，5月位错在晶体中构成一个闭合的环或终止于晶体表面第8页,共32页，星期六，2024年，5月刃型位错（棱位错）：位错线与滑移矢量垂直 正刃型位错，负刃型位错螺型位错：位错线与滑移矢量平行 左螺旋型位错，右螺旋型位错混合型位错：位错线与滑移矢量既不垂直也不平行3.位错的分类第9页,共32页，星期六，2024年，5月第10页,共32页，星期六，2024年，5月滑移矢量：反映滑移的距离大小和方向。柏氏矢量：还反映位错区发生畸变的大小和方向，是位错的特征，区分于其他缺陷。选择基向量；设定位错线方向，作右手螺旋闭合回路——柏氏回路；所经区域无缺陷；在无缺陷区域作同样的回路，由终点指向始点的矢量——柏氏矢量第11页,共32页，星期六，2024年，5月刃型位错的运动——滑移，攀移第12页,共32页，星期六，2024年，5月螺旋型位错的运动——滑移第13页,共32页，星期六，2024年，5月混合型位错第14页,共32