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改进型4H-SiC超结槽型MOSFET结构的性能研究

摘要：

本文对改进型4H-SiC超结槽型MOSFET（MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor，金属氧化物半导体场效应晶体管）结构的性能进行了深入研究。通过对结构参数的优化，以及对材料特性的详细分析，我们探索了这种改进型MOSFET在电力电子领域的应用潜力。本文的研究不仅有助于提升器件性能，还为SiC功率器件的发展提供了新的思路和方向。

一、引言

随着现代电力电子技术的发展，半导体功率器件在高性能、高效率的电力转换与控制系统中发挥着越来越重要的作用。作为其中的佼佼者，4H-SiC超结